3月26日消息 根據森海塞爾官方的消息,森海塞爾MOMENTUM真無線二代4月1日首發,售價為2399元。
森海塞爾MOMENTUM真無線二代采用了7mm微動圈驅動單元,5-21000Hz頻率范圍。耳機采用了ANC主動降噪,官方稱與被動降噪相結合,可以大幅減少噪聲干擾。
外觀方面,森海塞爾MOMENTUM真無線二代尺寸更小,除了上一代的黑色款式,現在又多了白色的選擇。
續航方面,森海塞爾官方表示總續航可達28小時,其中耳機本體可以播放7小時,耳機盒可以延長21小時。耳機充滿電需要1.5小時,充電10分鐘可以播放1.5小時。
森海塞爾MOMENTUM真無線二代技術參數:

責任編輯:gt
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
無線
+關注
關注
31文章
5686瀏覽量
178763 -
耳機
+關注
關注
29文章
3080瀏覽量
85908
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產品,新增75m?型號
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術打造,通過提升性能、增強設計
TeledyneLeCroy發布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規測試與調試解決方案
TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自動化合規測試框架現已支持DisplayPort 2.1物理層(PHY)合規性測試。
新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊,搭載第二代CoolSiCMOSFET技術,集成NTC溫度傳感器,采用大電流PressFIT引腳,并預涂2.0代導熱界面材料。產品型號:
三星公布首批2納米芯片性能數據
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數據;據悉,2nm工藝采用的是全柵極環繞(GAA)晶體管技術,相比第二代3nm工藝,性能提升5%,功耗
基于E203 RISC-V的音頻信號處理系統 -ANC算法簡介
ANC算法介紹
主動降噪系統在移動終端中應用最廣,例如摩托的麗音、三星Diamond Voice、蘋果的Micphone Array等。最早提出使用聲波干涉原理進行噪聲消除概念的是Rayleigh
發表于 10-28 07:50
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業級與車規級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術,在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該器件在圖騰柱
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產 為嵌入式系統實現單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產品是對 Versal 產品組合的擴展,可為嵌入式系統實現單芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox車規級開發平臺
第二代OrangeBox開發平臺集成AI功能、后量子加密技術及內置軟件定義網絡的能力,應對快速演變的信息安全威脅。
FZH907/906主動降噪揚聲器驅動芯片中文手冊
深圳市方中禾科技有限公司的 FZH907/906 是一款專為入耳式和頭戴式耳機設計的主動降噪(ANC)驅動芯片,采用模擬電路實現,具有低功耗、低成本和高集成度的特點。以下是其核心功能介
發表于 05-23 10:53
?3次下載
第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應用需求
第二代 AMD Versal Premium 系列自適應 SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統。該系列自適應 SoC 旨在滿足從簡單到復雜的各種 CXL 應用需求
天馬創新顯示解決方案賦能二代哈弗梟龍MAX
近日,二代哈弗梟龍MAX正式上市,新車定位為中型插混 SUV,共推出5款車型配置。本次新車內飾進行了煥新升級,采用了極簡設計理念,完美融合美學與科技元素。走進車內,12.3英寸全液晶儀表和14.6英寸中控屏幕的組合讓人眼前一亮,天馬為其提供的創新顯示解決方案,為用戶帶來更
拆解UGREEN綠聯HiTune H6 Pro真無線降噪耳機 搭載SSP707電源管理芯片 內置敏芯股份MEMS麥克風拾音
在當下的真無線耳機市場中,針對于不同的應用場景和佩戴舒適性需求,又可以細分為帶耳塞的入耳式、不帶耳塞的半入耳式和完全不入耳的開放式三種形態。其中,隨著半入耳式降噪技術的應用,半入耳式耳機成為了兼顧
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
比亞迪二代刀片電池或3月17日發布
據媒體報道,比亞迪公司將在3月17日召開一場發布會,預計此次的重磅發布會的主題,或將會是外界期待已久的二代刀片電池,比亞迪二代刀片電池或將帶來一系列技術進化。而且這或是比亞迪在打出“全民智駕”這張牌
森海塞爾MOMENTUM真無線二代參數公布,采用了ANC主動降噪技術
評論