(文章來源:中國智能手機網)
強勁的性能是手機流暢體驗的基礎。vivo Z6搭載5G強芯驍龍765G,作為高通目前最強驍龍7系芯片,驍龍765G采用了7nm EUV的工藝制程,擁有八核架構CPU,主頻高達2.4GHz,并配備先進的Adreno 620 GPU。在其加持下,vivo Z6圖片渲染速度明顯提升,運行大型游戲亦拒絕卡頓,其流暢的游戲體驗助力用戶暢快操作制霸全場。游戲過程中,散熱問題會極大地影響用戶的暢玩感受。vivo Z6為此配備了PC級超級液冷散熱系統,讓這臺5G性能先鋒在滿血性能狂飆的同時實現更好的溫升控制,用戶可無拘無束盡情暢玩。
除了出色的硬件配置外,系統層級的軟件優化更讓這臺5G性能先鋒得以充分發揮全部實力。煥新升級的vivo Multi-Turbo 3.0多渦輪加速引擎,配合專業電競模式,使vivo Z6的游戲性能得以全面躍升,用戶可享受到更具沉浸感的游戲體驗。而在快充方面,紅米Note 8支持18W,realme Q支持20W,參數上realme Q略勝,可以說在續航對比方面,兩款手機打了個平手。
在手機電量為0的情況下,關閉所有后臺應用進行30分鐘充電,每5分鐘記錄一次電量,realme Q 的充電量為50%。4000mAh的電量再加上驍龍 712的功耗控制,使得 realme Q 擁有了數值以上的續航表現,為這部手機的實用性加分不少。而紅米Note 8半小時充進48%,兩者差距并不大。
(責任編輯:fqj)
-
vivo
+關注
關注
13文章
3340瀏覽量
66799 -
紅米
+關注
關注
1文章
887瀏覽量
27635 -
realme
+關注
關注
1文章
503瀏覽量
15466
發布評論請先 登錄
深入剖析LMX2485Q - Q1:高性能雙PLL頻率合成器的卓越之選
探索Zilog Z8 Encore! XP F0823系列高性能8位微控制器
UCC57102Z-Q1:汽車應用中的高性能低側柵極驅動器
海辰儲能發布全球首個原生8小時長時儲能解決方案
普源示波器DS1000Z與DHO1000性能價格全面對比:技術差異與場景適配解析
如何通過性能表現判斷備用電池是否需要更換?
?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術解析與應用指南
RIGOL普源DS1000Z與DHO1000系列對比評測
MediaTek芯片助力REDMI Note 15 Pro性能升級
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側柵極驅動器數據手冊
DIY一款船用鋰電池的思路
北極芯微DTS6004模組賦能極米Z6X Pro系列投影儀
高性能+長續航!基于RK3576的電池管理系統(3.7V/7000mAh)開源方案發布
極米Z6X Pro新品搭載海思V660/670系列方案 海思真8核強芯音畫越級體驗激光投影
vivo Z6性能配置對比realme Q和紅米Note8的電池續航時長
評論