1、晶閘管（SCR）

晶體閘流管簡稱晶閘管，也稱為可控硅整流元件（SCR），是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上，晶閘管不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性，它只有導通和關斷兩種狀態。

晶閘管的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪聲；效率高，成本低等。因此，特別是在大功率UPS供電系統中，晶閘管在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。

晶閘管的弱點：靜態及動態的過載能力較差，容易受干擾而誤導通。

晶閘管從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

2、普通晶閘管的結構和工作原理

晶閘管是PNPN四層三端器件，共有三個PN結。分析原理時，可以把它看作是由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖1（a）所示，圖1（b）為晶閘管的電路符號。

圖1 晶閘管等效圖解圖

2．1、晶閘管的工作過程

晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管。

當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此是兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通。

設PNP管和NPN管的集電極電流分別為IC1和IC2，發射極電流相應為Ia和Ik，電流放大系數相應為α1＝IC1／Ia和α2＝IC2／Ik，設流過J2結的反相漏電流為ICO，晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：

Ia＝IC1＋IC2＋ICO＝α1Ia＋α2Ik＋ICO （1）

若門極電流為Ig，則晶閘管陰極電流為：Ik＝Ia＋Ig。

因此，可以得出晶閘管陽極電流為：

（2）硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數α1和α2隨其發射極電流的改變而急劇變化。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未接受電壓的情況下，式（1）中Ig＝0，（α1＋α2）很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈ICO，晶閘管處于正向阻斷狀態；當晶閘管在正向門極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高放大系數α2，產生足夠大的集電極電流IC2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數α1，產生更大的集電極電流IC1流經NPN管的發射結，這樣強烈的正反饋過程迅速進行。

當α1和α2隨發射極電流增加而使得（α1＋α2）≈1時，式（1）中的分母1－（α1＋α2）≈0，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia。這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定，晶閘管已處于正向導通狀態。晶閘管導通后，式（1）中1－（α1＋α2）≈0，即使此時門極電流Ig＝0，晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通，門極已失去作用。在晶閘管導通后，如果不斷地減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于α1和α2迅速下降，晶閘管恢復到阻斷狀態。

2．2、晶閘管的工作條件

由于晶閘管只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化，此條件見表1。

表1 晶閘管導通和關斷條件

（1）晶閘管承受反向陽極電壓時，無論門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態。

（2）晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。

（3）晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，無論門極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門極失去作用。

（4）晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關斷。

3、晶閘管的伏安特性和主要參數

3．1、晶閘管的伏安特性

晶閘管陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管陽極電流之間關系稱為晶閘管伏安特性，如圖2所所示。正向特性位于第一象限，反向特性位于第三象限。

圖2 晶閘管伏安特性參數示意圖

（1） 反向特性

當門極G開路，陽極加上反向電壓時（見圖3），J2結正偏，但J1、J2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓后，同時J3結也擊穿，電流迅速增加，如圖2的特性曲線OR段開始彎曲，彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。此后，晶閘管會發生永久性反向擊穿。

圖3 陽極加反向電壓

圖4 陽極加正向電壓

（2） 正向特性

當門極G開路，陽極A加上正向電壓時（見圖4），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與普通PN結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，如圖2的特性曲線OA段開始彎曲，彎曲處的電壓UBO稱為“正向轉折電壓”。

由于電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓后，J2結發生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子進入N1區，空穴進入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴復合。同樣，進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子復合，雪崩擊穿后，進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部復合掉。這樣，在N1區就有電子積累，在P2區就有空穴積累，結果使P2區的電位升高，N1區的電位下降，J2結變成正偏，只要電流稍有增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結均處于正偏，晶閘管便進入正向導電狀態——通態，此時，它的特性與普通的PN結正向特性相似，如圖2的BC段。

（3） 觸發導通

在門極G上加入正向電壓時（如圖5所示），因J3正偏，P2區的空穴進入N2區，N2區的電子進入P2區，形成觸發電流IGT。在晶閘管的內部正反饋作用（如圖2）的基礎上，加上IGT的作用，使晶閘管提前導通，導致圖2中的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

圖5 陽極和門極均加正向電壓

3．2、晶閘管的主要參數

（1）斷態重復峰值電壓UDRM

門極開路，重復率為每秒50次，每次持續時間不大于10ms的斷態最大脈沖電壓，UDRM＝90％UDSM，UDSM為斷態不重復峰值電壓。UDSM應比UBO小，所留的裕量由生產廠家決定。

（2）反向重復峰值電壓URRM

其定義同UDRM相似，URRM＝90％URSM，URSM為反向不重復峰值電壓。

（3）額定電壓

選UDRM和URRM中較小的值作為額定電壓，選用時額定電壓應為正常工作峰值電壓的2～3倍，應能承受經常出現的過電壓。
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