12月10日消息,今日,小米官方正式發布了Redmi小愛音箱,售價79元。
Redmi小愛音箱采用1.75英寸高品質揚聲器單元,U型風管設計,350cc大音腔,音質震撼出眾;配合最新一代藍牙Mesh網關,幫助藍牙設備聯網,是智能門鎖、燈泡的好搭檔;內置第三代“小愛同學”,是首款支持第三代小愛同學的小愛音箱,同時還支持小愛男聲;支持全新自研聲紋識別,可聽聲識人。
責任編輯:gt
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
音箱
+關注
關注
36文章
648瀏覽量
70578 -
藍牙
+關注
關注
119文章
6313瀏覽量
178721 -
揚聲器
+關注
關注
29文章
1356瀏覽量
66001
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
高頻交直流探頭在第三代半導體測試中的應用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導體器件的動態特性、柵極電流測量及開關損耗計算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響,整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成:核心
發表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半導體產業合作大會
10月25日,第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席,鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基礎,將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術的一次重要演進,其目標不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的第三代
愛芯元智攜手靈境聲學推出“愛芯元聲”音頻解決方案
2025年7月26日-7月29日,WAIC 2025世界人工智能大會上,愛芯元智半導體股份有限公司(以下簡稱“愛芯元智”)聯合上海靈境聲學技術股份有限公司(以下簡稱“靈境聲學”)正式發
電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用
第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發揮著不可或缺的作用
第三代半導體的優勢和應用領域
隨著電子技術的快速發展,半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅(Si)半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵(GaN
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析(1)
隨著AI技術井噴式快速發展,進一步推動算力需求,服務器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導體先發制人,推出的第三代超結MOSFET,能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%!TDK第三代電池量產在即
,這一革新使電池儲電能力顯著增強,能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲存更多電能,為手機制造商打造輕薄產品提供了技術支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和三星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推
金升陽推出高性能第三代插件式單路驅動電源
隨著新能源電動汽車行業的蓬勃發展,其動力系統的關鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
Redmi小愛音箱推出,內置第三代“小愛同學”售價79元
評論