GaN功率半導體的全球領袖GaN Systems和全球領先的電源半導體IC供應商安森美半導體今天宣布，采用GaN Systems的650 V、30 A GaN增強型高電子遷移率晶體管(E-HEMT) 和安森美半導體屢獲殊榮的NCP51820高速門極驅動器評估板的高速半橋GaN子板已面市。

該評估板針對現有和新的PCB設計而開發，設計人員可輕易評估用于現有半橋或全橋電源中的GaN。該評估套件采用25 mm x 25 mm超小布板，減少了器件數量，從而最小化PCB占板空間。快速開關GaN功率晶體管的特性，包括1+ MHz工作頻率和200 V/ns 共模瞬態抗擾度(CMTI)額定值，提供更高的功率密度和更高的性能。

【GaN Systems和安森美半導體的半橋評估套件使設計人員可輕易地在超小布板評估GaN，從而獲得極具性價比的方案。】

這評估板的優勢包括顯著減小損耗、重量、尺寸（布板尺寸可減小達80％）和系統成本（可節省達60％的BOM成本），非常適用于如AC-DC適配器、數據中心電源、光伏逆變器、儲能系統和無橋圖騰柱拓撲等應用。該方案是兩家公司正在開發的眾多即將推出的基于GaN的電源系統方案之一。 安森美半導體營銷總監Ryan Zahn說：

GaN器件生態系統的擴展，包括我們的NCP51820等驅動器IC，消除了設計障礙，并充分利用GaN E-HEMT的眾多優勢。隨著人們對GaN的興趣不斷提高和采用，我們期待與GaN Systems保持合作，以支援和滿足許多行業中出現的新的功率要求。

GaN Systems全球業務拓展高級總監Charles Bailley說：

與安森美半導體合作開發的新評估板使得用GaN進行設計更容易，性價比更高，為實現更小、更輕、更高能效的電源轉換器開啟了大門。這合作不僅標志著創新不僅發生在采用GaN設計的最終產品上，還在優化GaN使用的器件、設計工具和參考設計中。