近日專業芯片拆解研究機構TechInsights對Mate 30 Pro 5G進行了拆解，可知一半芯片來自華為自研海思芯片。

主板正面芯片（左-右）

-海思Hi6421電源管理IC

-海思Hi6422電源管理IC

-海思Hi6422電源管理IC

-海思Hi6422電源管理IC

-恩智浦PN80T安全NFC模塊

-意法半導體BWL68無線充電接收器IC

-廣東希荻微電子HL1506電池管理IC

主板背面芯片(左-右)

-廣東希荻微電子HL1506電池管理IC

-海思Hi6405音頻編解碼器

-STMP03(未知)

-韓國矽致微(Silicon Mitus) SM3010電源管理IC(可能)

-美國凌云邏輯(Cirrus Logic) CS35L36A音頻放大器

-聯發科MT6303包絡追蹤器IC

-海思Hi656211電源管理IC

-海思Hi6H11 LNA/RF開關

-日本村田前端模塊

-海思Hi6D22前端模塊

-海思麒麟990 5G SoC處理器與SK海力士8GB LPDDR4X內存(PoP整合封裝)

- 三星256GB閃存

-德州儀器TS5MP646 MIPI開關

-德州儀器TS5MP646 MIPI開關

-海思Hi1103 Wi-Fi/藍牙/定位導航無線IC

-海思Hi6H12 LNA/RF開關

-海思Hi6H12 LNA/RF開關

-美國凌云邏輯CS35L36A音頻放大器

-海思Hi6D03 MB/HB功率放大器模塊

子板(左-右)

-海思Hi6365射頻收發器

-未知廠商的429功率放大器(可能)

-海思Hi6H12 LNA/RF開關

-高通QDM2305前端模塊

-海思Hi6H11 LNA/RF開關

-海思Hi6H12 LNA/RF開關

-海思Hi6D05功率放大器模塊

-日本村田前端模塊

-未知廠商的429功率放大器(可能)

據悉，除了華為自研芯片外，還有少部分芯片來自美國，比如德州儀器的晶元、高通的射頻前端模塊、美國凌云的音頻放大器，SKHynix的DRAM。

結合美方的相關政策，Mate 30 Pro 5G內部的部分美國芯片應該是華為早期存貨，目前華為正在不斷探尋更多替代解決方案。此前有消息稱，華為自研的PA芯片已交給國內代工廠三安集團，并于明年Q1季度開始量產。