隨著云計算、大數據、物聯網等領域的發展，未來市場對存儲器的需求會持續增加。有數據顯示，我國存儲器的消耗量占全球總消耗量的三成以上（2019年第一季度世界半導體貿易統計WSTS 發布的統計數據），其中大部分存儲器芯片需要進口，可以說，在中國芯片產業的發展過程中，存儲芯片是十分關鍵的發展領域。

近日，紫光旗下新華三集團正式攜手中國閃存芯片領軍企業——長江存儲，整合中國頂尖的存儲芯片資源，共同推動在中國市場自主創新存儲芯片的研發與應用，成功地將3D NAND芯片產品融入服務器產品之中，進一步加速了服務器的自主創新之路。

眾所周知，芯片是信息時代的糧食，其中存儲器芯片應用領域十分廣泛。作為中國存儲芯片的領頭羊，長江存儲從成立至今，在短短3年時間內先后研發成功并量產了國內首款32層3D NAND閃存和64層3D NAND閃存，同時憑借著國內龐大的內需市場、優秀的自主研發能力，以及國際水準的產能，擔負起推動國內存儲器自主創新、加速發展的重要使命。此次新華三集團與長江存儲攜手，正是將這些國內領先的研發技術和存儲芯片引入到服務器產品中，推動優秀自主創新方案的落地生根，更好的滿足企業對高速、大容量存儲解決方案的需求。

2017年，長江存儲成功研發了中國首顆擁有自主知識產權的32層MLC 3D NAND閃存芯片，實現了中國三維閃存產業“零”的突破。該芯片的存儲容量為8GB至32GB，目前已通過企業級驗證并進行小規模的批量生產，主要應用在U盤，SD卡，機頂盒及固態硬盤等領域。

此后，長江存儲基于不斷的自主研發和創新，推出了第二代具備完全自主知識產權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，它擁有全球同代產品中最高的存儲密度，將廣泛應用在智能手機，個人電腦，服務器等領域。長江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品，也是中國企業首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產，標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創新之路。

提到Xtacking? 技術，不得不說，這是長江存儲在3D NAND閃存架構上的一次重大創新，在世界閃存發展史上具有舉足輕重的意義。通過芯片架構設計上的變化，Xtacking?能夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度，使3D NAND閃存能擁有更高的存儲密度，相比傳統架構，芯片面積可減少約25%。同時，Xtacking?技術還實現了模塊化的設計工藝，能夠有效提升了研發效率并縮短了生產周期，為NAND閃存的定制化提供了更多可能。目前，Xtacking?技術被主要應用在長江存儲64層及更高規格的三維閃存上。

為了給行業用戶帶來更多的價值，長江存儲未來還將推出Xtacking? 2.0創新架構。作為升級換代技術，Xtacking?2.0將夠進一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開拓定制化NAND全新商業模式等。未來，Xtacking?2.0技術將應用在長江存儲第三代3D NAND閃存產品中，會廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域，這將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

新華三集團將領先的長江存儲閃存引入服務器產品線，將在應用實踐中加速中國存儲芯片與服務器的融合發展，進一步推動計算產品和架構的迭代。新華三也將在10月24日以“至極之道，智造未來”為主題的計算節期間，重點展示長江存儲產品自主創新的領先技術，以及更加安全、可靠、可信的計算產品。這些產品將在新華三“至簡，至信，至慧”的智慧計算理念下，更好的滿足企業用戶的不同需求，為企業的數字化轉型賦能。