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IGBT，中文名稱為：絕緣柵雙極型晶體管，它是由BJT(雙極型三極管)和MOS（絕緣柵型場效應管）組合而成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。它可以實現直流電和交流電之間的轉化，或者改變電流的頻率，由逆變和變頻的作用。

與MOSFET相比，IGBT多應用與高壓領域，MOSFET主要應用在高頻領域。IGBT一般用在電壓范圍為600V~6500V的應用上。MOSFET的應用電壓相對較低，從十幾伏到1000V都有。不過，IGBT的工作頻率要比MOSFET低很多，IGBT的工作頻率僅為100KHz，而MOSFET的工作頻率可達1MHz以上，甚至幾十MHz。

圖1：2017年全球IGBT市場格局，及主要企業的市場份額。（數據來源：賽迪智庫，天風證券研究所）

根據天風證券研究所的估計，2022年全球IGBT市場規模將達到60億美元。全球IGBT市場的主要競爭者包括英飛凌、三菱電機、富士電機、安森美，以及ABB等企業，前五大企業的市場份額就已經超過了70%。

圖2：2016年~2022年全球IGBT市場規模。（資料來源：搜狐科技，天風證券研究所）

目前，國外廠商已經研發出了完善的IGBT產品系列，其中安森美等企業在消費級IGBT領域處于優勢地位，ABB、英飛凌和三菱電機在1700V以上的工業級IGBT領域占據優勢，而在3300V以上電壓等級的應用領域，英飛凌、ABB和三菱電機三家公司基本上居于壟斷地位，也代表了國際IGBT技術的最高水平。

圖3：國際IGBT市場產業鏈。

就中國市場而言，中國功率半導體市場占世界功率半導體市場份額的50%以上，但在中高端MOSFET和IGBT器件中，我們90%的功率半導體產品都需要依賴進口。國產IGBT企業要想趕上國際企業，還需要時間。

圖4：中國IGBT市場產業鏈。

IGBT的應用相當廣泛，按電壓分布來看，消費電子領域使用的IGBT產品主要在600V以下，比如數碼相機的閃光燈等；1200V以上的IGBT更多應用在電力設備、汽車電子、高鐵和動車組上，比如動車組常用的IGBT模塊為3300V和6500V，智能電網使用的IGBT通常為3300V等。

圖5：IGBT的應用領域及電壓分布。

就目前來說，電機控制系統和充電樁是車用IGBT的主要增長點。電力驅動系統將電能轉換為機械能，驅動電動汽車行駛，是控制電動汽車最為關鍵的部分。IGBT在電力驅動系統中屬于逆變器模塊，將動力電池的直流電逆變成交流電提供給驅動電動機。

IGBT約占新能源汽車電機驅動系統及車載充電系統成本的40%，折合到整車中，約占總成本的7~10%，其性能直接決定了整車的能源領用率。不過汽車半導體行業的認證周期長，標準非常嚴苛。

此外，軌道交通和智能電網是也使用IGBT比較多的應用。高鐵如果想要在端時間內將時速從零提升到300公里，就需要IGBT的幫助，因為IGBT可以確保牽引變流器及其他電動設備所需要的電流和電壓精準可靠。據說，目前軌道交通方面的IGBT產品，我國基本實現了國產化。

在智能電網方面，會用到IGBT的地方由發電端、輸電端、變電端和用電端。在發電端，像風力發電和光伏發電等新能源中的整流器和逆變器都需要用到IGBT模塊；在輸電端，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT功率器件；在變電端，IGBT是電力電子變壓的關鍵器件；在輸電端，家用LED照明燈等應用對IGBT也有著大量的需求。

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