在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，板層特性(如厚度，介質(zhì)常數(shù)等)以及線長(zhǎng)、線寬、線距、信號(hào)的上升時(shí)間等都會(huì)對(duì)串?dāng)_有所影響。

下面結(jié)合使用Mentor Graphie公司的信號(hào)完整性仿真軟件Hyperlynx，對(duì)上述的影響串?dāng)_的因素進(jìn)行分析。

首先在Hyperlynx中建立兩線串?dāng)_的模型，如圖4所示，設(shè)兩線的線寬為5 mil，線長(zhǎng)為6 in，線距為5 mil，兩線均為頂層微帶線，特性阻抗為49．5Ω，兩線都端接50Ω的電阻，以消除反射的影響。

干擾線的驅(qū)動(dòng)器采用CMOS工藝器件的IBIS模型，電壓為3．3 V，頻率為100 MHz。PCB的介電常數(shù)為4．3，六層板，其疊層結(jié)構(gòu)如圖5所示。

圖4：兩線串?dāng)_模型

圖5：PCB疊層結(jié)構(gòu)

1耦合長(zhǎng)度對(duì)串?dāng)_的影響

改變兩線的耦合長(zhǎng)度，分別將耦合長(zhǎng)度設(shè)置為3 in，6 in，10 in，其他設(shè)置不變。

圖6(a)是耦合長(zhǎng)度為3 in的串?dāng)_波形，其中近端串?dāng)_峰值為126．34 mV，遠(yuǎn)端為43．01 mV；圖6(b)是耦合長(zhǎng)度為6 in的串?dāng)_波形，其近端串?dāng)_峰值為153．23 mV，遠(yuǎn)端為99．46 mV；圖6(c)是耦合長(zhǎng)度為10 in的串?dāng)_波形，其近端串?dāng)_峰值為153．23 mV，遠(yuǎn)端為163．98 mV。

由此可見，對(duì)于遠(yuǎn)端串?dāng)_峰值與耦合長(zhǎng)度成正比，耦合長(zhǎng)度越長(zhǎng)，串?dāng)_越大；而對(duì)于近端串?dāng)_，當(dāng)耦合長(zhǎng)度小于飽和長(zhǎng)度時(shí)，串?dāng)_將隨著耦合長(zhǎng)度的增加而增加，但是當(dāng)耦合長(zhǎng)度大于飽和長(zhǎng)度時(shí)，近端串?dāng)_值將為一個(gè)穩(wěn)定值。

圖6：不同耦合長(zhǎng)度的仿真結(jié)果

2線間距對(duì)串?dāng)_的影響

以下是保持其他設(shè)置不變，考察線間距的改變對(duì)串?dāng)_的影響。分別設(shè)置線距為5 mil，15 mil，仿真波形如圖7所示。

圖7：不同線間距的仿真結(jié)果

由圖7可知，當(dāng)線間距為5 mil時(shí)，近段串?dāng)_峰值為153．23 mV，遠(yuǎn)端為99．46 mV；而線間距為15 mil時(shí)，近端串?dāng)_峰值為33．40 mV，遠(yuǎn)端為40．49 mV。

可見隨著線間距的增大，無論是近端還是遠(yuǎn)端串?dāng)_都將減小，當(dāng)線間距大于等于線寬的3倍時(shí)，串?dāng)_已經(jīng)很小。

3上升時(shí)間對(duì)串?dāng)_的影響

下面考察上升沿時(shí)間的變化對(duì)串?dāng)_的影響，其他設(shè)置保持不變。分別設(shè)置驅(qū)動(dòng)器為CMOS 3．3 V MEDI—UM；CMOS 3．3 V FAST；CMOS 3．3 V ULTRA—FAST，仿真波形如圖8所示。

圖8：不同驅(qū)動(dòng)器設(shè)置的仿真結(jié)果

圖8(a)中的近端串?dāng)_峰值為153．9 mV，遠(yuǎn)端串?dāng)_為46．3 mV；圖8(b)中近端串?dāng)_峰值為153．2 mV，遠(yuǎn)端串?dāng)_為99．5 mV；圖8(c)中近段串?dāng)_峰值為153．2 mV，遠(yuǎn)端串?dāng)_為349．9 mV。

可見，當(dāng)上升沿時(shí)間縮短時(shí)，遠(yuǎn)端串?dāng)_噪聲越來越大。

對(duì)于近端串?dāng)_來說，如果與傳輸線的時(shí)延相比，上升時(shí)間較短，則近端串?dāng)_與上升時(shí)間無關(guān)；而如果與傳輸線時(shí)遲相比，上升時(shí)間較長(zhǎng)，則近端串?dāng)_噪聲與上升時(shí)間有關(guān)(隨著上升沿時(shí)間的減小，近端串?dāng)_變大)。

4介質(zhì)層厚度對(duì)串?dāng)_的影響

在PCB的疊層編輯器中將介質(zhì)層厚度分別設(shè)置為3 mil和6 mil，其他設(shè)置不變，仿真波形如圖9所示。

圖9：不同介質(zhì)層厚度的仿真結(jié)果

考察以上的仿真波形可知，當(dāng)介質(zhì)層厚度為3 mil時(shí)，近端串?dāng)_峰值為153．2 mV，遠(yuǎn)端串?dāng)_為99．5 mV；當(dāng)介質(zhì)層厚度為6 mil時(shí)，近端串?dāng)_峰值為277．3 mV，遠(yuǎn)端串?dāng)_為163．9 mV。

可見，隨著介質(zhì)層厚度的減小，串?dāng)_也將變小。