中國電子科技集團公司第三十八研究所的郭進、馮俊波和曹國威在其題為《硅光子芯片工藝與設計的發展與挑戰》的論文中指出，與微電子工藝相比，硅光子在總體路徑、版圖、工藝和材料方面都有其特殊性，那么在工藝的開發過程中就必須考慮到溫度預算、污染控制和關鍵工藝等問題。他們指出，硅光子集成的工藝開發路線和目標比較明確，困難之處在于如何做到與 CMOS 工藝的最大限度的兼容，從而充分利用先進的半導體設備和工藝，同時需要關注個別工藝的特殊控制。硅光子芯片的設計目前還未形成有效的系統性的方法，設計流程沒有固化，輔助設計工具不完善，但基于 PDK 標準器件庫的設計方法正在逐步形成。如何進行多層次光電聯合仿真，如何與集成電路設計一樣基于可重復 IP 進行復雜芯片的快速設計等問題是硅光子芯片從小規模設計走向大規模集成應用的關鍵。

基于標準 CMOS 工藝的硅光子工藝流程開發

Inphi的首席技術官Radha Nagarajan在接受semiengineering采訪時表示：“光子的波長比電子的要大得多。這也是為什么電子產品可以進入7nm節點，而標準硅光子器件是130nm或180nm節點，而且通常使用245nm光刻線。光學器件不同于電子器件，它們的相位較為敏感，側壁粗糙度和損耗很重要。當這些成為重要因素時，重要的將不是節點，而是更大尺寸但更精準的節點下，光刻和蝕刻的質量。”

西門子公司Mentor定制IC設計組的產品營銷經理Chris Cone則強調，當你驅動一個光子接口時，你遇到了很多關于噪聲和大量熱量的問題，這必須考慮在內。沒有東西可以提供這種能力，這一切都歸結為接口，它速度非常快，以每秒幾十千兆位的速度運行，開關驅動調制器上的結點或移相器，并產生一個你必須考慮的EMI簽名。同樣，從光電探測器出發，你需要一個非常敏感的輸入進入跨阻放大器。你必須屏蔽來自電路其它部分的噪聲。

雖然開發困難比較大，且競爭環境激烈。但對于國內廠商來說，去投入這個產業是必須的。尤其是在中興制裁時間之后，我們看到了國內在光通信方面的短板，尤其是在硅光子方面，國內更是幾近于無。這就迫使國內將這個研發提上日程。

但按照中興光電子技術有限公司的孫笑晨和張琦在其名為《硅光子通信產品技術和商業化進程》的文章中的說法，由于這個產業的專業細分化和各層次的高度成熟性，使得在未形成有 效的 Fabless- Foundry 模 式前 ，進入的門檻和初始的投入非常大。無論對于初創公司還是大公司的部門，都需要準備大量的研發資源并仔細考慮其應用場景