加利福尼亞州圣塔克拉拉 - ***聯合微電子公司今天宣布已經生產出功能齊全的產品2兆位SRAM器件采用0.13微米邏輯工藝技術，具有銅互連功能。

在聯華電子硅谷年度技術論壇期間，芯片代工廠稱其在貼出后于5月2日驗證了SRAM芯片的產量。今年第一季度的設計。該公司還表示0.13微米工藝實際上在晶體管和所有布線層上的銅互連上都有0.10微米的柵極長度。

“這個里程碑將UMC放在地圖上作為引入先進技術的領跑者邏輯生產技術，“***新竹純粹鑄造公司的首席技術官Fu Tai Liou宣稱。 “在大多數其他半導體行業領導者的路線圖之前，我們生產的功能齊全的SRAM芯片具有天然良好的裸片產量，差不多整整一年。”

因此，聯華電子聲稱它在比賽中處于領先地位在鑄造公司中提供所有銅互連技術和0.10微米柵極長度的技術。然而，聯華電子表示尚未將0.13微米工藝技術用于試生產。該公司表示，這將在今年年底之前發生。

但根據聯華電子的說法，新的邏輯工藝已經生產出世界上最小的由六個晶體管制成的SRAM存儲單元。該公司表示，存儲器單元為2.28微米 2 。