Planar fxP采用Trikon專利的Flowfill和Low k Flowfill技術，用于標準和低k金屬間電介質（IMD），使邏輯和DRAM制造商能夠輕松遷移到更高級的設計規則和更高速的器件，而無需更換硬件，該公司表示。

Low k Flowfill為芯片制造商提供了一種減色鋁，“低k率”方法，0.18微米，介電常數為2.8，超出了半導體行業協會的技術路線圖要求。 Trikon表示，當用于鑲嵌技術時，Low k Flowfill將提供具有2.5的介電常數的彈性超低k薄膜，可以與其他加工步驟集成。據該公司稱，該技術甚至被證明為k = 2.2。

由于Low k Flowfill提供的間隙填充低于0.1微米，DRAM制造商可以在接下來的三個采用相同的低k解決方案切換到damascene技術之前的四個設計節點。

Trikon的標準Low k Flowfill提供高度可靠的間隙填充和自平面化，使其成為氧化物IMD的理想選擇，該公司表示。它還為0.13微米及以下的DRAM提供了一種替代的，基于非等離子的先進金屬前介電（PMD）解決方案，具有低熱預算。

“Planar fxP的多功能性和靈活性使其成為可能目前，成本最低，風險最低的生產選擇使芯片制造商能夠調整他們的晶圓廠和運營，使他們能夠在不斷變化的市場條件下領先一步，“Trikon市場營銷副總裁Bernard Culverhouse說。

Planar fxP為Trikon經過生產驗證的CVD工藝硬件增加了額外的功能和生產力。新的晶圓傳輸模塊使用快速動作機器人處理器提供更高的吞吐量密度，具有雙末端執行器，可提供三個運動軸。兩個真空盒式負載鎖為工廠提供接口，可輕松與SMIF或其他自動化系統集成。

晶圓定位站和冷卻模塊集成在傳輸模塊中，提供全面的過程控制和與標準塑料盒的兼容性。傳輸模塊周圍的六個過程模塊位置允許指定工具配置，以便最大化吞吐量。

“晶圓使工具完成并準備好進入下一個主要工藝步驟，大大減少了工作 - Trikon的CVD產品營銷經理Andy Noakes表示，整個工廠的進展和工作流程更加順暢。

由于Trikon的低k薄膜易于集成，因此對后處理步驟的影響微乎其微。設備。這進一步降低了成本實施并縮短了制造商產品的上市時間。“

Trikon通過實施新的等離子清潔技術，最大限度地減少了PFC排放，從而最大限度地減少了這種新工具對環境的影響。超過85％，并最大化室內清潔之間的正常運行時間和處理過的晶圓吞吐量。