本文是EDN和EE Times熱門技術的一部分：展望2016年的特色，我們的編輯們將在2015年審視一些有望在2016年及以后形成技術新聞的熱門趨勢和技術。

3D IC。 3D記憶。十多年來，這些術語已被用于指代各種技術，但迄今為止最成功的部分可能是便攜式設備中常見的異構堆棧，將處理器與一個或兩個存儲器芯片相結合。非常平凡的東西。但2016年可以看到一些真正的進步和牽引力在該領域。事實上，一些真正的3D產品已經出貨。

英特爾和美光已經宣布生產3D交叉點架構高耐久性(1,000×NAND閃存)非易失性存儲器，他們聲稱比DRAM密集10倍，比NAND快1000倍。

雙層交叉點數組的圖示視圖

英特爾和美光正在將其作為一種全新的內存類推廣，雖然它可能會或可能不會取代NAND閃存，但它確實可以實現系統設計的可能性超越現有的內存技術所允許的。位單元是電阻性的和無晶體管的，但公司尚未提供技術細節。

交叉點存儲器模具照片

此內存的“3D-ness”當然是指單元層的可堆疊性。但堆疊裸片是另一種3D方法。

Micron的混合存儲器立方體(HMC)使用堆疊DRAM裸片和硅通孔(TSV)來創建具有抽象接口的高帶寬RAM子系統(想想帶有PCIe的DRAM)。與標準DRAM相比，Micron表示HMC可以減少延遲和功耗，提高帶寬和可靠性，并節省約90%的PCB面積。

打包混合存儲器立方體

最受歡迎的3D類別是3D NAND閃存。三星，東芝，Sandisk，以及英特爾和美光公司都宣布或開始發布采用3D硅結構的閃存，這種結構遠遠超出了通常的IC層。

3D NAND表示

有趣的是，宣布的內存大小并沒有像人們在聽到32或48時所預期的那樣吹走現有的平面設備層芯片。我們目前正在看到128Gb-384Gb部件 - 令人驚訝的是，但在這些級別上已經有平面NAND部件。

看來IC制造商目前正在從3D技術中獲得其他優勢，例如更高的R/W性能。平面NAND，功耗更低，續航能力更強。他們也在使用更大的流程節點;這里的成本節省可能會抵消因額外層次而導致的成本增加。