2006年前英特爾高級副總裁帕特·基爾辛格說：“今天，光學是一個非常小的細分技術，明天，它將成為我們制造每一個芯片的主流。” 事實上，光互連對于內部和數據中心之間的高速通信是非常重要的。

最近公司接觸的項目中，因為所有其他功都能高度集成在一個CMOS芯片上，外部只需要激光二極管。為了讓CMOS高速通信芯片和激光二極管之間實現高速通信，片上ESD（靜電保護）保護的寄生電容必須盡可能的小。在過去5年當中，公司在不同的光互聯項目中，一直使用公司自創的TAKE CHARGE 工具，得到了很好的結果。當通用的或者半導體廠的在片ESD不符合您的需求時，采用公司的TAKE CHARGE是非常理智的選擇。因為，TAKE CHARGE在數千個IC商業應用芯片上已經證明，它能提供一個快速，可靠的方式來平衡ESD保護與成本之間的關系，同時發揮最大的IC性能。

設計無約束

保護接口與最敏感的節點，如GATE，核心器件等

高速電路的低寄生電容

200fF，100fF甚至低于15fF

縮短幾個月量產和上市的時間

現有低寄生電容可用的on-chip ESD 解決方案ESD

TSMC: 180nm down to 28nm

UMC: 130nm, 65nm, 28nm

GF: 65nm

SMIC: 40nm

Several other foundries, …

針對其他技術節點或者半導體廠的私人定制EOS / ESD解決方案，可在幾天內交貨

大幅降低IC成本

已經在硅產品上被證明的ESD解決方案有助于降低IC開發成本和時

兼容所有的標準工藝流程

已經和歐洲，美國的大客戶在光互連項目方面取得很多合作和經驗

公司所有合作的客戶：

如果你在硅光電這塊或者高速電路這塊有涉足，那么公司的on-chip ESD 解決方案，會給貴公司產品帶來更多的附加價值。