隨機存取存儲器

RAM代表隨機存取存儲器。隨機訪問是能夠以與該存儲器設備中的任何其他元件一樣快速且容易地訪問存儲設備的元件的能力。設備的大小或它有多少個存儲器元件和單元并不重要。

相反，順序存儲設備（如CD）上的數據無法以這種方式訪問。通常，驅動器的激光器必須行進，CD必須旋轉才能讀取存儲在磁盤上的特定值。因此，根據當前的位置和旋轉情況，不能保證可以在相同的時間內訪問該存儲設備上的不同部分。

今天，SRAM和DRAM是兩種最常用的技術，兩者都具有獨特的性能，優點和缺點。

動態隨機存取存儲器（DRAM）

DRAM使用電容器存儲集成電路中的每一位數據。電容可以充電或放電以表示二進制數字的兩種狀態：

電容器會隨著時間的推移放電，因此會丟失存儲的值它們不會定期刷新。這是由存儲器刷新電路完成的，該電路負責重寫電容器中的數據。此外，動態RAM的使用更加復雜，因為它需要比SRAM更精確的時序。

然而，這種簡單的設計允許RAM芯片很小，因此這種類型的存儲器主要用于現代計算機，智能手機，游戲機，以及通常在其他地方，小包裝中需要大量相對便宜的內存。

靜態隨機存取存儲器（SRAM）

與DRAM相比，SRAM使用晶體管代替電容來存儲信息：

這種類型的存儲器比DRAM更復雜，更大，更昂貴。但是，它也更快，不需要定期刷新。此外，它比DRAM使用更少的功率。這些正面特性使SRAM非常適合需要較少量的快速內存，例如CPU中的本地緩存。

非易失性RAM（NVRAM）

DRAM和SRAM都是易失性的，這意味著它們不會永久存儲數據，并且在未啟動時會快速丟失存儲的信息。今天，最常用的NVRAM類型是閃存，它通常用于替代計算機中的硬盤驅動器或作為嵌入式和移動設備上的主要存儲介質。

這些優點是快速隨機訪問，更好的物理耐久性和小功耗。但是，它們只能擦除和重寫一定次數。

DRAM與制造商的SRAM

A DRAM比SRAM更小，更便宜，更容易構建。但是，它通常使用起來更慢，更復雜;它需要更精確的時序和額外的刷新電路。因此，SRAM通常是業余愛好者的最佳選擇。這兩種類型通常與并行輸入和輸出一起使用。