電子發燒友網報道（文 / 吳子鵬）2025 年 9 月 4 日，第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。CSEAC 2025 以 “專業化、產業化、國際化” 為宗旨，涵蓋展覽展示、主旨論壇、專題論壇、圓桌對話、產業上下游對接會、人才招聘會、高校科研成果展、企業人力資源宣講會等多項活動。
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在同期舉辦的 “功率及化合物半導體產業發展論壇” 上，北方華創、英飛凌、華潤微電子等產學研用領域的頭部機構代表輪番登臺，分享行業洞見與技術成果。
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中國：全球最大功率器件消費國，貢獻 40% 市場份額

作為 “功率及化合物半導體產業發展論壇” 主持人，陜西省半導體行業協會常務副理事長兼秘書長何曉寧分享了行業發展的關鍵統計數據。他指出，當前功率半導體產業正迎來黃金發展期：
·市場規模持續擴容：據數據顯示，2024 年全球功率半導體市場規模已達 530 億美元，近四年復合增長率約 5%；
·增長潛力進一步釋放：隨著第三代半導體材料加速滲透，未來五年全球市場規模有望以 8% 以上的復合增長率突破 800 億美元；
·中國地位凸顯：作為全球最大的功率半導體消費國，中國貢獻了約 40% 的市場份額，是推動全球產業增長的核心力量。
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值得關注的是，化合物半導體作為功率器件的重要組成部分，正成為半導體行業新的增長引擎。伴隨新能源汽車、可再生能源等新興領域的快速發展，以及 5G、AI 技術的持續進步，化合物半導體市場有望長期保持高速增長態勢。
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北方華創：裝備創新是第三代半導體產業的 “基石”

北方華創化合物半導體行業總裁李仕群以《同芯共贏，以裝備創新推動第三代半導體產業蓬勃發展》為主題進行分享。他首先強調，創新技術與應用場景正持續帶動化合物半導體需求升級，并以 800V 高壓平臺為例進行說明：
在 800V 高壓平臺下，傳統硅基 IGBT 器件的導通損耗和開關損耗顯著上升，直接導致系統效率下降、成本增加；而碳化硅（SiC）MOSFET 憑借更高的耐壓能力、更低的導通與開關損耗、更高的工作頻率及熱導率，成為該平臺下的更優選擇。
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作為半導體基礎產品領域的核心企業，北方華創深耕半導體裝備、真空及鋰電裝備、精密電子元器件等業務，產品廣泛應用于集成電路、先進封裝、半導體照明、第三代半導體、新能源光伏、新型顯示、真空熱處理、新能源鋰電等領域，致力于成為該領域值得信賴的引領者。
李仕群特別指出，裝備是第三代半導體產業發展的 “重中之重”。在化合物半導體領域，北方華創已形成完整的設備矩陣，可提供長晶爐、干法刻蝕設備、薄膜設備、爐管設備、清洗設備等，為客戶提供覆蓋全流程的工藝解決方案。
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聚焦碳化硅器件制造，其性能表現與制造環節的 “均勻性”“穩定性” 高度綁定 —— 盡管器件自身電容、導通電阻、閾值電壓等參數的微小差異，會直接影響開關損耗、并聯均流等核心性能，但這類差異的根源不僅與器件設計相關，更依賴裝備對工藝的精準控制。
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為解決這一關鍵問題，北方華創通過專項技術創新實現突破：例如推動外延設備從 “水平單片式” 向 “垂直多片式” 迭代，并疊加原位刻蝕、自動打磨功能。其中，原位刻蝕可在不取出晶圓的情況下清除外延層表面雜質；自動打磨則能減少核心部件損耗，最終使外延層的摻雜均勻性顯著提升，間接縮小器件自身電容的參數差異，為高性能碳化硅器件量產奠定基礎。
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英飛凌：碳化硅 MOSFET 賦能電力電子系統 “高效創新”

英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽，以《CoolSiC? MOSFET 賦能電力電子系統的創新設計》為主題，從應用系統視角剖析了碳化硅 MOSFET 的發展趨勢。
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陳立烽表示，“提升系統效率、性價比與可靠性” 是電力電子系統永恒的核心需求，而功率器件存在特定的 “甜蜜點”—— 即器件在某一電壓等級、功率密度與應用場景下，能同時實現效率、成本與可靠性最優適配的區間。這一區間曾長期由硅基器件（如 IGBT、超級結 MOSFET）定義，而寬禁帶半導體憑借材料特性突破，正重構這一核心邏輯。
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他強調，碳化硅 MOSFET 在終端應用中的關鍵，在于精準找到這一 “甜蜜點”，無論是 AI 服務器電源還是電機驅動場景均是如此。英飛凌的碳化硅 MOSFET 可幫助開發人員有效提升系統效率、功率密度與可靠性，為應用創新提供支撐。
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基于豐富的量產經驗與兼容性技術積累，英飛凌推出了革命性的 CoolSiC? MOSFET 技術，實現了全新的產品設計。相較于 IGBT、MOSFET 等傳統硅基開關，SiC 功率 MOSFET 具備顯著優勢，可為系統設計人員提供最優的性能、可靠性與易用性，同時賦予設計人員新的靈活性，助力其實現前所未有的效率與可靠性水平。此外，高壓 CoolSiC? MOSFET 技術在反向恢復特性上也取得了突破性改進，相關產品覆蓋 650V、1200V、1700V、2000V 電壓等級，包含分立封裝產品與模塊產品，可滿足不同場景需求。
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陳立烽特別介紹，英飛凌 SiC MOSFET 電源模塊提供多種拓撲配置，包括三電平（three-level）、四管（fourpack）、半橋（half-bridge）、六管（sixpack）及升壓（booster）結構。其中，CoolSiC? MOSFET Easy 模塊憑借良好的熱界面、低雜散電感、堅固的結構設計及 PressFIT 連接技術，在工業與新能源領域具備突出競爭力。
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華潤微電子：技術迭代驅動碳化硅 “替代革命”

華潤微電子重慶有限公司（以下簡稱 “華潤微”）產品線總經理馬榮耀，以《SiC MOS 技術進步驅動行業變革》為主題分享時指出，碳化硅技術正加速替代硅基 IGBT 與超級結 MOSFET：2024 年全球碳化硅市場規模已超 300 億元，預計 2029 年將達到 800-1000 億元，市場增長空間廣闊。
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在碳化硅領域的布局上，華潤微作為具備芯片設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試全產業鏈一體化運營能力的 IDM（垂直整合制造）半導體企業，目前主營業務分為 “產品與方案”“制造與服務” 兩大板塊。憑借自主的產品設計能力與可控的制造過程，華潤微在分立器件及集成電路領域均已形成較強的產品技術與制造工藝優勢，構建了先進的特色工藝體系與系列化產品線。
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具體到碳化硅業務進展，馬榮耀介紹：
·產線建設：華潤微擁有國內首條 6 英寸 SiC 晶圓產線，目前已實現穩定量產，并具備進一步擴產的能力；
·產品落地：SiC JBS G3 與 SiC MOS G2 產品已完成系列化開發并實現量產，整體性能達到國際領先水平，正圍繞新能源汽車、充電樁、光儲逆變、數據中心電源、工業電源等領域全面推廣上量；
·車規突破：針對車載 OBC（車載充電機）、DC-DC 轉換器、車載空壓機、主驅逆變等場景的多款車規級 SiC MOS 及模塊，均已完成樣品開發，并進入行業頭部客戶的測試認證與量產導入階段；
·技術迭代：SiC MOS G3、G4 平臺正同步研發，目前已啟動 G4 平臺產品的系列化工作，以滿足更高效率應用場景的需求。
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馬榮耀強調，華潤微正持續加大 SiC 平臺研發投入，重點聚焦 “提升產品可靠性、降低缺陷率與比導通電阻（Rsp）” 三大方向，旨在增強在中高端市場的核心競爭力。他在分享中還提及華潤微產品與國內某廠商產品的對比數據：在均流能力、寄生電感、系統效率等關鍵指標上，華潤微的碳化硅產品表現更為出色。
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總結：產業鏈協同發力，推動功率半導體邁向更高水平

何曉寧在論壇總結中表示，本次 “功率及化合物半導體產業發展論壇” 不僅集中展現了國內企業在碳化硅技術上的突破成果，更凸顯了產業鏈協同的重要性。他指出，未來需進一步深化產學研合作，聚焦裝備、材料、設計等關鍵環節攻克技術難題，持續完善產業鏈生態，推動我國功率半導體產業邁向更高水平。