analog devices方案:在LTspice仿真中使用...
近年來,工業電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關頻率下實現高功率密度,而MOSFET在相同條件下運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下,并聯MOSFET并不能節省空間或提升效率,因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業界對GaN器件性能表現的關注,相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型,針對GaN FET驅動進
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