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新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術在 GaN 材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN 多種異質結構。...
大概就是利用了電容兩端電壓不能突變的原理，MT3608是一個升壓芯片，VBUS是USB處取的5V，然后通過MT3608升壓到15V，并且額外通過二極管和電容，產生一個負壓，然后過79L12（負壓LDO芯片，注意不是78L12），穩壓到-12V給運算放大器使用。...
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關。 IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。 你可以看到輸入側代表具有柵極端子的 MOS管，輸出側代表具有集電極和發射極的 BJT。...
對于一些面板上的撥碼開關等電路，為了增加抗ESD能力，通常需要串入TVS管。但要注意由于TVS管的漏電流過大，以致上拉電阻上的壓降過大，從而造成高電平過低，不能達到CMOS的高電平閾值。...
歐姆(Georg Simon 0hm，1787~1854年)是德國物理學家。生于巴伐利亞埃爾蘭根城。歐姆定律及其公式的發現，給電學的計算，帶來了很大的方便。 人們為了紀念他，將電阻的單位定為歐姆，簡稱“歐” 。...
功率密度的大幅提升離不開第三代半導體的助力，氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關速度和更低的功耗。2018年前后，隨著氮化鎵器件成本的下降和可靠性的提高，氮化鎵器件具有的高頻開關性能和低導通阻抗成為下一代電源適配器的關鍵技術。...
下面以一體成型電感CSAB系列（工業品）、車規級一體成型電感VSHB系列（車規品）為例做對比，讓大家對科達嘉車規品和工業品有更加直觀的了解。...
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。 氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。...
光電二極管陣列 型號:ZPDN-Z1208C-S005 ZPDN-Z1208C-S005 是一個由6個高靈敏度硅光電二極管安裝在PCB上組成 的陣列,該裝置與紅外發射二極管相匹配。...
電阻的種類有很多，從材料上劃分，線繞型、非線繞型，非線繞型又分為合成型、薄膜型；從用途上劃分，通用型、精密型、高阻型、功率型、高壓型、高頻型；還有一類特殊用途劃分，熱敏電阻、光敏電阻、力敏電阻、濕敏電阻、壓敏電阻、氣敏電阻、熔斷電阻等。...
對比不同IGBT的參數及性能； 獲取IGBT開通和關斷過程的參數； 評估驅動電阻是否合適； 開通和關斷過程是否有不合適的震蕩；...
晶閘管（SCR）自問世以來，其功率容量提高了近3000倍?，F在許多國家已能穩定生產8kV / 4kA的晶閘管。日本現在已投產8kV / 4kA和6kV / 6kA的光觸發晶閘管(LTT)。美國和歐洲主要生產電觸發晶閘管。...
隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應用對系統效率的不斷追求，SiC 功率半導體市場將迎來前所未有的增速。...
三極管還是使用前面分析過的MMBT3904L，直流電源給15V，輸入信號VG1為Vpp=2V，f=100MHz的正弦波，基極給100k/22k分壓得到2.7V偏置電壓，集電極給10k上拉電阻，發射極給2k下拉電阻。...
在實際電路怎么判定之前，先把結論拿出來： 無論是輸入端還是輸出端，串聯拓撲提高相應端口的阻抗，并聯拓撲降低相應端口的阻抗；...
一般情況下，放大電路的輸出阻抗如無特別說明。都是指交流信號而言的。其次，我們可將三極管看成一個受基極電流控制的電流源，故上圖可等效為下圖...
100 MHz 時鐘產生后，從信號驅動器芯片輸出的兩種波形：沒有外加引出連線（平滑曲線）的情況和輸出端連接一段2 in長的PCB線條（振鈴曲線）的情況。...
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。...
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