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• 光刻工藝的基本步驟

  傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進光刻工藝而言的，普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術節(jié)點的光刻需要。...

  17576次閱讀 · 0評論 芯片集成電路光刻工藝

• SiP 封裝優(yōu)勢及種類

  在IC封裝領域，是一種先進的封裝，其內(nèi)涵豐富，優(yōu)點突出，已有若干重要突破，架構上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能大大提高，代表著鳳凰技術的發(fā)展趨勢，在多方面存在極大的優(yōu)勢特性，體現(xiàn)在以下幾個方面。...

  8454次閱讀 · 0評論 芯片SiP封裝

• 氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解

  銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質(zhì)層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示了氮化硅在銅芯片中作為金屬沉積前的電介質(zhì)層（PMD）、金屬層間電介質(zhì)層（IMD）和鈍化保護電介質(zhì)層（PD...

  14239次閱讀 · 0評論 晶圓RTPPECVD氮化硅

• 一文了解插件孔的相關知識

  雙列直插封裝(dual in-line package)也稱為DIP封裝或DIP包裝，簡稱為DIP或DIL，是一種集成電路的封裝方式。...

  2881次閱讀 · 0評論 封裝插件PCBADIP華秋電子

• UCIe1.0規(guī)范針對的使用模式、封裝技術和性能指標

  戈登·摩爾(Gordon Moore)在他提出了“摩爾定律”[1]的開創(chuàng)性論文中預測了“清算日”的到來——“用分別封裝并相互連接的多個小功能系統(tǒng)構建大型系統(tǒng)可能是更經(jīng)濟的?！苯裉?，我們已經(jīng)度過了那個拐點。多個裸芯的封裝集成已廣泛應用于半導體行業(yè)，包括主流的中央處理單元(CPU)和通用圖形處理器單元(...

  2105次閱讀 · 0評論 半導體封裝intelUCIe

• 一文解析智能制造中的網(wǎng)絡安全挑戰(zhàn)

  　　大部分關于SM的工作都是在IEC TC 65 WG23中完成的，用于制定SM標準IECTR 63283-X，在IEC SC65A MT 61508（功能安全）和ISO/IEC JTC 1 SC 42 WG03（AI可信度）中。 　　圖和表格取自工作文件，以顯示概念的方向。 　　想法也...

  717次閱讀 · 0評論 網(wǎng)絡安全智能制造

• 半導體技術的應用 半導體技術的未來發(fā)展

  晶體管收音機比電子管收音機小多了，可以隨身攜帶。但它是由晶體管、電阻、電容、磁性天線焊在一塊電路板上，相互之間由導線相連。體積還比較大，裝配工藝復雜。...

  4235次閱讀 · 0評論 無線通信晶體管太陽電池半導體激光器寬禁帶半導體

• 全面解讀電子封裝工藝技術

  全面解讀電子封裝工藝技術...

  1510次閱讀 · 0評論 電子封裝封裝工藝

• 一文解析UCIe技術細節(jié)

  UCIe[4]是一種開放的行業(yè)標準互連，為異構芯片間提供了高帶寬、低延遲、高電源效率和高性價比的封裝內(nèi)連接，以滿足整個計算系統(tǒng)的需求。...

  4184次閱讀 · 0評論 封裝光刻機異構芯片UCIe

• AOI和SPI在SMT加工中的作用

  SMT即表面組裝技術（Surface Mount Technology）（Surface Mount Technology的縮寫），是電子組裝行業(yè)最流行的技術和工藝。...

  4057次閱讀 · 0評論 SPIsmtAOI

• 單晶圓系統(tǒng)的多晶硅沉積方法

  單晶圓系統(tǒng)也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積過程可以節(jié)省鎢硅化物沉積之前，去除多晶硅層上的表面氧化層過程和表面清洗步驟，這些步驟都是傳統(tǒng)的高溫爐多...

  2310次閱讀 · 0評論 多晶硅晶圓

• 全新沉積技術SPARC實現(xiàn)先進邏輯和DRAM集成設計

  使用 SPARC 或單個前驅(qū)體活化自由基腔室技術制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚度和成分共形性極佳等特點。...

  1709次閱讀 · 0評論 DRAMSPARC碳化硅

• 一文解析SMPD封裝設計的優(yōu)勢

  表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合，可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。...

  1506次閱讀 · 0評論 MOSFET充電器碳化硅

• 半導體芯片先進封裝——CHIPLET

  Chiplet可以使用更可靠和更便宜的技術制造。較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。此外，Chiplet芯片也不需要采用同樣的工藝，不同工藝制造的Chiplet可以通過先進封裝技術集成在一起。...

  30579次閱讀 · 2評論 芯片半導體摩爾定律半導體芯片chiplet

• 微電子技術相關知識,電子封裝技術的級別

  　狹義的封裝技術可定義為：利用膜技術及微細連接技術，將半導體元器件及其他構成要素，在框架或基板。上布置、固定及連接，引出接線端子，并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構成整體立體結構的工藝技術。...

  1493次閱讀 · 0評論 微電子電子封裝

• 半導體制造之加熱工藝介紹

  由于四點探針和晶圓直接接觸將在晶圓表面造成缺陷，所以這種方法只能用于測量測試晶圓進行工藝改進、鑒定和控制。進行測量時必須有足夠的力使探針穿過厚度為10?20 A的薄原生氧化層，這樣才能接觸到硅襯底以形成良好接觸。...

  3074次閱讀 · 0評論 元器件晶體管半導體行業(yè)

• 封裝測試工藝流程介紹分析

  劃傷：劃傷是由于芯片表面接觸到異物：如鑷子，造成芯片內(nèi)部的AI布線受到損傷或造成短路，而引起的不良。 缺損：缺損是由于芯片的邊緣受到異物、或芯片之間的撞擊，造成邊緣缺損，有可能破壞AL布線或活性區(qū)，引起不良。...

  2227次閱讀 · 0評論 封裝測試

• 3D打印與傳統(tǒng)制造方式的對比

  傳統(tǒng)零件加工：原材料通過加工制作成毛坯，毛坯再通過粗加工、精加工過程制得成品，經(jīng)過每個加工步驟后的構件質(zhì)量均小于經(jīng)過該加工步驟前的構件質(zhì)量，因此，傳統(tǒng)零件加工可被稱為減材制造。...

  4470次閱讀 · 0評論 3D打印增材制造

• 美國公司Zyvex使用電子束光刻制造出0.7nm芯片

  氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式，它通過非常簡單的儀器實現(xiàn)原子分辨率，并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學有效地聚焦低能電子和振動加熱方法，以產(chǎn)生高度非線性（多電子）的曝光機制。...

  3628次閱讀 · 0評論 光刻技術量子計算機EUV光刻機

• 關于芯片封裝技術詳解

  COB (chip on board) 板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。...

  4129次閱讀 · 0評論 芯片封裝
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