資料介紹
本文研究了 基于形狀修正的電子束光刻分級鄰近效應校正技術,在內部鄰近效應校正的基礎上,在計算圖形之間產生的相互鄰近效應過程中,采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口機制。局部曝光窗口的區域小,對計算精度影響大,采用累積求和的方法進行精確計算;全局曝光窗口區域大,對計算精度影響小,采用大像點近似的方法進行計算,從而更快速地實現鄰近效應校正。該技術的應用,滿足了校正精度和運算速度兩方面的要求。實驗結果與模擬結果一致,表明通過采用局部曝光窗口和全局曝光窗口機制,能夠快速地實現相互鄰近效應校正,在校正精度相同的情況下,有效提高了運算速度。

微細加工技術是制備超大規模集成電路的關鍵技術,它可以按照設計圖形實現高精度的微型器件加工。隨著現代科學技術的不斷發展,對集成電路分辨率的要求越來越高,這就對圖形加工技術提出了更高的要求。電子束光刻是極好的高分辨率圖形加工技術,理論上其分辨率可達3~8nm ,但是。由于電子在抗蝕劑和基片中可產生多達數微米的散射,因此抗蝕劑中某一點所吸收到的能量沉積會受到該點和相鄰曝光點人射電子劑量的影響。在較大曝光區域的中心會包含來自周圍人射電子的很多分量,而該區域的拐角和邊緣處沒有接收到相同的總劑量,導致顯影圖形發生偏移。如果邊緣處的吸收能量密度正好為顯影閾值,那么其拐角處則不能顯影出所希望的位置,這稱為內部鄰近效應”。當相鄰的圖形相距很近時,則產生共同的曝光效應,使相鄰圖形之間彼此向對方凸出和延伸,甚至形成橋接現象,這稱為相互鄰近效應”。
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