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復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的電路模擬
摘要:本文采用準(zhǔn)經(jīng)典近似的Monte Carlo 方法對(duì)復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的等效單電子電路進(jìn)行了模擬. 研究結(jié)果表明,由于臺(tái)階狀的復(fù)合隧穿勢(shì)壘的作用,存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)時(shí)間特性可得到極大提高. 我們進(jìn)一步研究了N 溝道鍺/ 硅復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的時(shí)間特性,得到其存儲(chǔ)時(shí)間可長(zhǎng)達(dá)數(shù)年,同時(shí)寫(xiě)擦?xí)r間可分別為μs 和ns 量級(jí),從而這種新型的器件結(jié)構(gòu)可以有效解決快速編程和長(zhǎng)久存儲(chǔ)間的矛盾.
關(guān)鍵詞:復(fù)合量子點(diǎn); 單電子存儲(chǔ)器; 電路模擬
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