資料介紹
ES7P0214應(yīng)用筆記
1.1 去耦電容
SOP16 封裝芯片 VDD 與 VSS 呈對(duì)角分布。為保證 EFT 性能,芯片 VDD 與 VSS 間的去耦電 容推薦使用直插陶瓷電容且焊盤盡量靠近 VDD 與 VSS 引腳。布線時(shí)觸控芯片上的電源線在通過(guò)去 耦電容后不要再引出去驅(qū)動(dòng)其它負(fù)載。
1.2 IO 模塊
1.仿真時(shí)調(diào)試口不能設(shè)定為高阻態(tài),否則程序無(wú)法正常執(zhí)行。 2.不支持端口負(fù)壓,應(yīng)用時(shí)注意避免出現(xiàn)端口負(fù)壓的情況。 3.在上下電過(guò)程中端口可能存在脈沖,對(duì)地掛接 10K 電阻可有效減弱脈沖。 4.端口調(diào)制輸出在 IO 被配置為輸出時(shí)才有對(duì)應(yīng)波形,當(dāng)復(fù)用其他功能時(shí)優(yōu)先使能其他功能。
1.3 WDT 模塊
窗口看門狗可配置 25%及 75%的窗口,禁止對(duì) WDTCS<1:0>使用其他配置。
1.4 UART 模塊
使用回環(huán)功能時(shí) TX 需接上拉電阻。 1.5 ADC 模塊 1.ADC 的參考電壓使能后需等待約 1ms 時(shí)間穩(wěn)定。 2.模擬輸入在選擇內(nèi)部基準(zhǔn) 1.2V 或 1.0V 時(shí),需將 ADC 配置為低速模式(轉(zhuǎn)換速度小于等于 250KHz)。 3.使用此模塊時(shí)芯片供電要求在 2.8V 以上。 4.芯片的默認(rèn)校準(zhǔn)信息為 CHOP 禁止時(shí)的值,使能 CHOP 可提高絕對(duì)精度但需要載入對(duì)應(yīng)的 校準(zhǔn)信息,請(qǐng)參考例程進(jìn)行操作。
1.1 去耦電容
SOP16 封裝芯片 VDD 與 VSS 呈對(duì)角分布。為保證 EFT 性能,芯片 VDD 與 VSS 間的去耦電 容推薦使用直插陶瓷電容且焊盤盡量靠近 VDD 與 VSS 引腳。布線時(shí)觸控芯片上的電源線在通過(guò)去 耦電容后不要再引出去驅(qū)動(dòng)其它負(fù)載。
1.2 IO 模塊
1.仿真時(shí)調(diào)試口不能設(shè)定為高阻態(tài),否則程序無(wú)法正常執(zhí)行。 2.不支持端口負(fù)壓,應(yīng)用時(shí)注意避免出現(xiàn)端口負(fù)壓的情況。 3.在上下電過(guò)程中端口可能存在脈沖,對(duì)地掛接 10K 電阻可有效減弱脈沖。 4.端口調(diào)制輸出在 IO 被配置為輸出時(shí)才有對(duì)應(yīng)波形,當(dāng)復(fù)用其他功能時(shí)優(yōu)先使能其他功能。
1.3 WDT 模塊
窗口看門狗可配置 25%及 75%的窗口,禁止對(duì) WDTCS<1:0>使用其他配置。
1.4 UART 模塊
使用回環(huán)功能時(shí) TX 需接上拉電阻。 1.5 ADC 模塊 1.ADC 的參考電壓使能后需等待約 1ms 時(shí)間穩(wěn)定。 2.模擬輸入在選擇內(nèi)部基準(zhǔn) 1.2V 或 1.0V 時(shí),需將 ADC 配置為低速模式(轉(zhuǎn)換速度小于等于 250KHz)。 3.使用此模塊時(shí)芯片供電要求在 2.8V 以上。 4.芯片的默認(rèn)校準(zhǔn)信息為 CHOP 禁止時(shí)的值,使能 CHOP 可提高絕對(duì)精度但需要載入對(duì)應(yīng)的 校準(zhǔn)信息,請(qǐng)參考例程進(jìn)行操作。
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