在wafer基材加工階段，從第一代硅，第二代砷化鎵到第三代也是現階段熱門的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過晶錠切片、研磨、拋光后獲得，每片襯底在各工藝后及出廠前，都要對厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數進行系統量測，需要相應的幾何形貌量測設備。

下圖為國內某頭部碳化硅企業產品規范，無論是production wafer，research wafer，還是dummy wafer，出廠前均要對幾何形貌參數進行量測，以保證同批、不同批次產品的一致性、穩定性，也能防止后序工藝由于wafer warpage過大，產生碎片、裂片的情況。

中圖儀器針對晶圓幾何形貌量測需求，基于在精密光學測量多年的技術積累，歷經數載，自研了WD4000系列無圖晶圓幾何量測系統，適用于線切、研磨、拋光工藝后，進行wafer厚度（THK）、整體厚度變化（TTV）、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）等相關幾何形貌數據測量，能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數，有效監測wafer形貌分布變化，從而及時管控與調整生產設備的工藝參數，確保wafer生產穩定且高效。

晶圓制造工藝環節復雜，前道制程所需要的量檢測設備種類多、技術難度高, 因此也是所有半導體設備賽道中壁壘最高的環節。伴隨半導體制程的演進，IC制造對于過程管控的要求越來越高，中圖儀器持續投入開發半導體量檢測設備，積極傾聽客戶需求，不斷迭代技術，WD4000系列在諸多頭部客戶端都獲得了良好反響!

重點參數

測量速度：最快15s
測量范圍：100μm~2000μm   
測量精度：0.5um 
重復性（σ）：0.2um
探頭分辨率：23nm
掃描方式：Fullmap 面掃、米字、 自由多點
測量參數：厚度、TTV(總體厚度變化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等
可測材料：砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、 鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、氮化鎵、玻璃、外延材料等

懇請注意：因市場發展和產品開發的需要，本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。

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