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壓電晶體的壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)在科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。壓電晶體作為基片制備出的聲表面器件因其優(yōu)良的電性能，易于實(shí)現(xiàn)器件小型化，被廣泛的應(yīng)用于通訊，雷達(dá)，導(dǎo)航等。近年來，新型壓電晶體材料A3BC3D2O14硅酸鎵鑭結(jié)構(gòu)晶體在聲表面波、體表面波濾波器以及傳感器等方面得到了廣泛的應(yīng)用。鎵鑭系列材料如La3Ga5.5Nb0.5O14（LGN）、 La3Ga5.5Ta0.5O14（LGT）和La3Ga5SiO14（LGS）具有聲表面波速度小，機(jī)電耦合系數(shù)大等特點(diǎn)，有利于制備器件的小型化。另外，這類晶體的熔點(diǎn)很高，在高溫下比較穩(wěn)定，可以用來制備高溫傳感器，濾波器。本文設(shè)計(jì)了LGS晶體濾波器，介紹其結(jié)構(gòu)，計(jì)算了聲表面波濾波器的頻率響應(yīng)特性，與石英進(jìn)行比較，為聲表面波器件的制備打下理論基礎(chǔ)。
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