資料介紹
作為新型電力半導體器件的主要代表, IGBT被廣泛用于工業、信息、新能源、醫學、交通、軍事和航空領域。隨著半導體材料和加工工藝的不斷進步, IGBT的電流密度、耐壓和頻率不斷得到提升。 目前,市場上的 IGBT器件的耐壓高達 6500V,單管芯電流高達 200A,頻率達到 300kHz。在高頻大功率領域,目前還沒有任何一個其它器件可以代替它。本文著重分析討論 IGBT器件的設計要點。
一、 IGBT的基本結構和工作原理
從圖 1 可以看出, IGBT是一個復合器件,由一個 MOSFET和一個 PNP三極管組成,也可以把它看成是一個 VDMOS 和一個 PN二極管組成。圖 2 是 IGBT的等效電路。

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