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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC資料>IC中文資料>0.15M GaN芯片系列的非線性和噪聲建模的詳細(xì)資料概述

      0.15M GaN芯片系列的非線性和噪聲建模的詳細(xì)資料概述

      2018-07-31 | pdf | 2.04 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      　　介紹

      　　0.15μm器件技術(shù)

      　　表征和建模方法

      　　0.15μm器件噪聲模型

      　　0.15μm大信號模型

      　　總結(jié)

      　　? GaN在高功率應(yīng)用中有許多設(shè)計(jì)優(yōu)勢，也對LNA有用。

      　　? 減少的柵極長度過程，例如0.15UM，已經(jīng)出現(xiàn)以解決更高的頻率（例如，10 GHz）。

      　　? 本講座將聚焦于開發(fā)一個0.15μm的GaN芯片的先進(jìn)模型以解決低噪聲和高功率應(yīng)用。

      　　QoVO的生產(chǎn)釋放QGaN15工藝?yán)肁lGaN/GaN外延層生長在高導(dǎo)熱SiC襯底上。

      　　直流ID最大值為1.15 A/mm，直流GM最大值為425毫秒/毫米，截止電壓為-3.1V，VDS為10V。

      　　柵極到漏極器件擊穿電壓超過75伏，在ID＝1mA/mm和VGS＝-60V下測量，F(xiàn)T為32 GHz，fMAX為160 GHz。

      芯片 建模 GaN
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