在LED照明應用中采用交流-直流（AC-DC）電源供電的LED驅動電路中，常見隔離拓撲結構與非隔離拓撲結構。這兩種拓撲結構各有其特點。相比較而言，非隔離拓撲結構的優勢包括磁性元件尺寸更小、能效更高、元件數量更少、總物料單成本更低，以及能以機械設計滿足安規等，特別適用于內含驅動器的LED燈泡及燈管應用，已成為此類LED照明趨勢而大量被采用。而隔離拓撲結構則因安規需求較適用于驅動器與的LED燈泡及燈管分開結構之照明應用。
　　NIKO-SEM提供之LED驅動器非隔離LED驅動器系列，採峰值電流採樣加平均電流採樣雙回授控制，因此能改善高功因應用中單一平均電流回授控制中不可調光之缺失，同時快速回授特性可避免輸入電壓變換控制延遲造成LED過流毀損現象，可適用于多種非隔離LED驅動高功因與傳統非高功因應用方案。
　　在傳統純電阻峰值電流採樣做法時電感電流全部流經採樣電阻，因為採樣電阻上的峰值電壓每頂到內部參考電壓時皆會立即關閉功率電晶體，因此每個開關週期電感電流峰值都會相同，無法隨輸入電壓正弦波振幅大小變化，功因也就無法有效提昇.NIKO-SEM在非隔離高功因降壓驅動應用采用電阻并聯電容的獨特峰值電流採樣方式，使流經電感上的電流能有效隨輸入電壓正弦波振幅大小變化，進而達成高功因的目的。
　　其原理為：
　　電容電荷公式中，Q=CV = IT ，其中并聯電容之Q（電荷）值、C（電容量）值以及V（採樣電壓）值皆為定值，電容電流I會隨導通時間T的變動而變化，由于輸入電壓正弦波振幅越大時流經電感的電流斜率會變大，會較短導通時間頂到內部參考電壓，所以輸入電壓正弦波振幅越大時，導通時間變越短，而電容電流I會越大，同時電感電流亦越大，因此具有良好高功因的表現，調整采樣電阻阻值則可隨意改變LED負載電流大小。
　　此外NIKO-SEM之LED驅動器提供一COMP腳專門做輸入電壓以及輸出負載變化補償用，使LED電流變化率得以控制在5%水準。以下圖1為NIKO-SEM提供之典型全電壓非隔離高功因BUCK架構LED驅動電路。在圖1中，電阻R3、電容C4為峰值電流採樣元件，串聯于飛輪二極體D1的電阻R4為平均電流採樣元件，作為當功率電晶體關閉時LED負載電流的採樣工作，電阻R4的每個工作週期電壓經過電阻R5、電容C5積分成一平坦直流電壓值，當LED負載電流越大則電阻R5、電容C5積分的電壓值越高，同時，輸入電壓越高時電阻R5、電容C5積分的電壓值亦越高，藉此可補償輸入電壓以及輸出負載變化。此電壓值于功率電晶體再度導通時疊加峰值電流採樣電壓，產生峰值電流採樣加平均電流採樣雙回授控制，共同疊加的訊號VLD以及峰值電流採樣電壓VCS如圖2所示。雙回授控制應用時優先設定平均電流採樣電阻R4阻值，公式為R4 = ILED / 0.25，然后再設定峰值電流採樣電阻R3阻值，公式為R3 = R4 / K，K=3.75。