資料介紹
LED照明的神圣目標(biāo)就在于以最高能效與最佳成本效益的方式實(shí)現(xiàn)白光,而這也一直是制造商和學(xué)術(shù)界之間最熱門的討論話題。

傳統(tǒng)的途徑包括頻率向下反轉(zhuǎn)、結(jié)合高能量的藍(lán)光LED或近紫外線頻段,以及具有不同波長的螢光粉。
相較于原始的發(fā)射器(以螢光粉覆蓋的LED),這種途徑通常以較低的量子效率模擬不完全的白光光譜。螢光粉的壽命有限也對(duì)于白光的整個(gè)產(chǎn)品生命周期帶來負(fù)面影響。
其他的解決方案結(jié)合了以不同峰值波長發(fā)射的多個(gè)LED芯片,然而,同樣無法為真正白光帶來自然連續(xù)的發(fā)光過程。
香港大學(xué)(University of Hong Kong)的研究人員則看好可從單晶LED中取得寬頻白光。在最近發(fā)布于《ACS Photonics》期刊中的「寬頻InGaN LED單芯片」(Monolithic Broadband InGaN Light-EmittingDiode)一文中,研究人員發(fā)表可在藍(lán)寶石基板生長高銦含量氮化銦鎵型氮化鎵(InGaN-GaN)量子阱(QW)結(jié)構(gòu)的結(jié)果。
研究人員接著使用矽膠納米粒子組合作為遮罩層,為整個(gè)堆疊進(jìn)行蝕刻,在整個(gè)LED芯片上留下納米柱圖案組合,范圍包括從直徑約150nm的納米尖端到直徑約7μm的微碟型共振腔。
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