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SN74LVTH2245 具有三態輸出的 3.3V ABT 八路總線收發器

這些八路總線收發器專為低壓（3.3 V）VCC操作而設計，但具有以下功能：為5 V系統環境提供TTL接口。這些設備專為數據總線之間的異步通信而設計。它們將數據從A總線傳輸到B總線或從B總線傳輸到A總線，具體取決于方向控制（DIR）輸入的邏輯電平。輸出使能（OE）\輸入可用于禁用器件，以便有效隔離總線。提供有源總線保持電路，以保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。建議不要將上拉或下拉電阻與總線保持電路配合使用。 B端口輸出，設計用于提供或吸收高達12 mA的電流，包括等效的22- 用于減少過沖和下沖的串聯電阻。當VCC介于兩者之間時在0和1.5 V時，器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是，為了確保1.5 V以上的高阻態，OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。這些器件完全適用于使用Ioff和上電3的熱插拔應用-州。 Ioff電路禁用輸出，防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間，上電三態電路將輸出置于高阻態，從而防止驅動器沖突。特性支持混合模式信號操作（具有3.3VV...

74ACT16827 具有三態輸出的 20 位緩沖器/驅動器

'ACT16827是同相20位緩沖器，由兩個10位部分組成，具有獨立的輸出使能信號。對于10位緩沖區，兩個輸出使能（1 和1 或2 2 ）輸入必須都低于相應的Y輸出有效。如果任一輸出使能輸入為高電平，則該10位緩沖器部分的輸出處于高阻態。 74ACT16827采用TI的收縮小外形封裝，提供兩倍的I /O引腳數量和標準小外形封裝在同一印刷電路板區域的功能。 54ACT16827的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 74ACT16827的工作溫度范圍為-40°C至85°C。特性德州儀器（TI）WidebusTM系列的成員輸入兼容TTL電壓< /li> 三態輸出直接驅動總線流通式架構優化PCB布局分布式VCC和GND引腳配置最小化高速開關噪聲 EPICTM（增強型高性能注入CMOS）1- m Process 500-mA典型鎖存器 - 125°C時的抗擾度封裝選項包括塑料300密耳熱收縮小外形（DL）封裝，采用25密耳中心到中心引腳間距和380密耳細間距陶瓷扁平（WD））使用25密耳中心...

SN74ABT16374A 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

'ABT16374A是16位邊沿觸發D型觸發器，具有3態輸出，專為驅動高電容或相對低阻抗而設計負載。它們特別適用于實現緩沖寄存器，I /O端口，雙向總線驅動器和工作寄存器。這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘（CLK）輸入的正跳變時，觸發器的Q輸出采用在數據（D）輸入處設置的邏輯電平。緩沖輸出使能（OE \）輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態（高或低邏輯電平）或高阻態。在高阻抗狀態下，輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力，而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時，可以保留舊數據或輸入新數據。當VCC介于0和2.1 V之間時，器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是，為了確保2.1 V以上的高阻態，OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 SN54ABT16374A的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74ABT16374A的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內工作。特性 ...

SN74AHCT16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

'AHCT16374器件是16位邊沿觸發D型觸發器，具有3態輸出，專為驅動高電容或相對較低的電容而設計阻抗負載。它們特別適用于實現緩沖寄存器，I /O端口，雙向總線驅動器和工作寄存器。這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘（CLK）輸入的正跳變時，觸發器的Q輸出取數據（D）輸入的邏輯電平。緩沖輸出使能（OE \）輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態（高或低邏輯電平）或高阻態。在高阻抗狀態下，輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力，而無需接口或上拉組件。為了確保上電或斷電期間的高阻態，OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時，可以保留舊數據或輸入新數據。 SN54AHCT16374的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74AHCT16374的工作溫度范圍為-40°C至85°C。特性德州儀器WidebusTM家庭成員 EPICTM（...

SN74ALVCH16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

這個16位透明D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特別適用于實現緩沖寄存器，I /O端口，雙向總線驅動器和工作寄存器。該器件可用作兩個8位鎖存器或一個16位鎖存器。當鎖存使能（LE）輸入為高電平時，Q輸出跟隨數據（D）輸入。當LE變為低電平時，Q輸出鎖存在D輸入設置的電平。緩沖輸出使能（OE）輸入可用于將8個輸出置于正常狀態邏輯狀態（高或低邏輯電平）或高阻態。在高阻抗狀態下，輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力，而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時，可以保留舊數據或輸入新數據。為確保上電或斷電期間的高阻態，OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。有源總線保持電路將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯狀態。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。特性德州儀器廣播公司的成員？系列工作電壓范圍為1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns，3.3 V ...

CD74ACT14 六路施密特觸發反向器

CD74ACT14包含六個獨立的逆變器。該器件執行布爾函數Y = A \。每個電路都作為獨立的反相器工作，但由于施密特的作用，反相器的正向輸入閾值電平不同（VT +）和負向（VT ??）信號。特性輸入兼容TTL電壓雙極F，AS和S的速度，顯著降低功耗< /li> 比標準逆變器具有更高的抗噪能力比標準輸入上升和下降擺率低得多的操作 ±24-mA輸出驅動電流扇出至15 F器件 SCR防閂鎖CMOS工藝和電路設計超過MIL-STD-883的2 kV ESD保護，方法3015 參數與其它產品相比反向緩沖器/驅動器 Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)...

SN74ABTH162260 具有串聯阻尼電阻和三態輸出的 12 位到 24 位多路復用 D 類鎖存器

'ABTH162260是12位至24位多路復用D型鎖存器，用于兩個獨立數據路徑必須復用或復用的應用中。，單一數據路徑。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。這些器件在存儲器交錯應用中也很有用。三個12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許A-to-B方向的存儲體控制。可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時，鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時，輸入端的數據被鎖存并保持鎖存狀態，直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 B端口輸出設計為吸收高達12 mA的電流，包括等效的25系列電阻，以減少過沖和下沖。提供有源總線保持電路，用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。當VCC介于0和2.1 V之間時，器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是，為了確保2.1 V以上的高阻態，OE \應通過...

SN74ABT162841 具有三態輸出的 20 位總線接口 D 類鎖存器

這些20位透明D型鎖存器具有同相三態輸出，專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現緩沖寄存器，I /O端口，雙向總線驅動器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作兩個10位鎖存器或一個20位鎖存器。鎖存使能（1LE或2LE）輸入為高電平時，相應的10位鎖存器的Q輸出跟隨數據（D）輸入。當LE變為低電平時，Q輸出鎖存在D輸入設置的電平。緩沖輸出使能（10E或2OE）輸入可用于放置輸出。相應的10位鎖存器處于正常邏輯狀態（高或低邏輯電平）或高阻態。在高阻抗狀態下，輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。輸出設計為吸收高達12 mA的電流，包括等效的25- 用于減少過沖和下沖的串聯電阻。這些器件完全適用于使用I的熱插入應用關閉并啟動3狀態。 Ioff電路禁用輸出，防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間，上電三態電路將輸出置于高阻態，從而防止驅動器沖突。為確保上電或斷電期間的高阻態， OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 OE \不影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時，可以保留舊數據...

CD74FCT244 具有三態輸出的 BiCMOS FCT 接口邏輯八路同向緩沖器/線路驅動器

CD74FCT244和CD74FCT244AT是具有三態輸出的八進制緩沖器/線路驅動器，采用小型幾何BiCMOS技術。輸出級是雙極和CMOS晶體管的組合，將輸出高電平限制為低于VCC的兩個二極管壓降。這導致輸出擺幅降低（0 V至3.7 V），降低了電源總線振鈴[電磁干擾（EMI）的來源]，并最大限度地降低了VCC反彈和接地反彈及其在同步輸出期間的影響交換。輸出配置還可提高開關速度，并能夠吸收64 mA電流。這些器件組織為兩個4位緩沖器/線路驅動器，具有獨立的低電平有效輸出使能（OE \）輸入。當OE \為低電平時，器件將數據從A輸入傳遞到Y輸出。當OE \為高電平時，輸出處于高阻態。為了確保上電或斷電期間的高阻態，OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。特性具有低靜態功耗的BiCMOS技術緩沖輸入非反相輸出 < li>輸入/輸出隔離從V CC 受控輸出邊沿速率 64-mA輸出灌電流輸出電壓擺幅限于3.7 V SCR抗閂鎖BiCMOS工藝和電路設計...

SN74ABT162823A 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

這些18位總線接口觸發器具有3態輸出，專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現更寬的緩沖寄存器，I /O端口，帶奇偶校驗的雙向總線驅動器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作兩個9位觸發器或一個18位觸發器。當時鐘使能（CLKEN）\輸入為低電平時，D型觸發器在時鐘的低到高轉換時輸入數據。將CLKEN \置為高電平會禁用時鐘緩沖器，從而鎖存輸出。將清零（CLR）\輸入設為低電平會使Q輸出變為低電平而與時鐘無關。緩沖輸出使能（OE）\輸入將9個輸出置于正常邏輯狀態（高電平）或低電平）或高阻抗狀態。在高阻抗狀態下，輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動器提供了驅動總線線路的能力，無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時，可以保留舊數據或輸入新數據。輸出設計為源電流或吸收電流高達12 mA，包括等效的25- 串聯電阻，用于減少過沖和下沖。這些器件完全符合熱插拔規定使用Ioff和上電3狀態的應用程序。 Ioff電路禁用輸出，防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間，上電三態電路將輸出置...

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