這些總線收發(fā)器和寄存器專為低壓（3.3 V）VCC操作而設(shè)計(jì)，但具有此功能為5 V系統(tǒng)環(huán)境提供TTL接口。

 LVTH652器件由總線收發(fā)器電路，D型觸發(fā)器和控制電路組成，用于直接從多路復(fù)用傳輸數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)總線或內(nèi)部存儲(chǔ)寄存器。

提供輸出使能（OEAB和OEBA \）輸入來控制收發(fā)器功能。提供選擇控制（SAB和SBA）輸入以選擇是傳送實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)還是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。用于選擇控制的電路消除了在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)之間的轉(zhuǎn)換期間在多路復(fù)用器中發(fā)生的典型解碼故障。低輸入選擇實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，高輸入選擇存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。圖1顯示了可以使用?? LVTH652器件執(zhí)行的四種基本總線管理功能。

A或B數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)或兩者都可以存儲(chǔ)在內(nèi)部D型翻轉(zhuǎn)中 - 無論選擇還是使能控制引腳，都可以通過適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘（CLKAB或CLKBA）輸入由低到高的跳變進(jìn)行翻轉(zhuǎn)。當(dāng)SAB和SBA處于實(shí)時(shí)傳輸模式時(shí)，通過同時(shí)啟用OEAB和OEBA \，可以在不使用內(nèi)部D型觸發(fā)器的情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在這種配置中，每個(gè)輸出都強(qiáng)化了它的輸入;因此，當(dāng)兩組總線的所有其他數(shù)據(jù)源都處于高阻態(tài)時(shí)，每組總線保持其最后狀態(tài)。

提供有源總線保持電路以保持未使用或浮動(dòng)的數(shù)據(jù)輸入處于有效的邏輯電平。建議不要使用上拉或下拉電阻與總線保持電路。

當(dāng)VCC介于0和1.5 V之間時(shí)，器件處于高阻態(tài)上電或斷電。但是，為了確保1.5 V以上的高阻態(tài)，OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到VCC，OE應(yīng)通過下拉電阻連接到GND;電阻的最小值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收/電流源能力決定。

該器件完全適用于使用Ioff的熱插入應(yīng)用。上電三態(tài)。 Ioff電路禁用輸出，防止在斷電時(shí)損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間，上電三態(tài)電路將輸出置于高阻態(tài)，從而防止驅(qū)動(dòng)器沖突。

• 支持混合模式信號(hào)操作（具有3.3VVCC的5V輸入和輸出電壓）
• 支持低至2.7 V的未調(diào)節(jié)電池工作
• 典型VOLP（輸出接地反彈）
  
  sub= 3.3 V，TA= 25°C
• Ioff和上電3狀態(tài)支持熱插入
< li>數(shù)據(jù)輸入端的總線保持消除了對(duì)外部上拉/下拉電阻的需求
• 每個(gè)JESD的閂鎖性能超過500 mA 17
• ESD保護(hù)超過JESD 22
  • 2000-V人體模型（A114-A）
  • 200-V機(jī)型（A115-A）

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