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      CSD23285F5 12V P 溝道 FemtoFET MOSFET

      數據：

      描述

      這款29mΩ，-12V P溝道FemtoFET?MOSFET技術經過了設計和優化，能夠以最大限度減小許多手持式和移動類應用中的封裝尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號MOSFET的同時大幅減小封裝尺寸。










      特性

      • 低導通電阻
      • 低Q g 和Q gd
      • 超小尺寸
        • 1.53mm x 0.77mm
        • 0.5mm焊盤間距
      • 薄型
        • 高度為0.35mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護二極管
        • 額定值＆gt; 4kV人體放電模式（HBM）
        • 額定值＆gt;
        • 符合RoHS環境標準
          • small>所有商標均為其各自所有者的財產。

      參數 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD23285F5
      -12 ? ?
      -6 ? ?
      Single ? ?
      35 ? ?
      47 ? ?
      80 ? ?
      -31 ? ?
      -3.3 ? ?
      3.2 ? ?
      0.48 ? ?
      0.66 ? ?
      -0.65 ? ?
      LGA 0.8x1.5 ? ?

      方框圖 (1)

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD23285F5 相關庫存