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      CSD23382F4 P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

      數據：

      描述

      此66mΩ，12V P通道FemtoFET MOSFET被設計且被優化，以最大限度地減少多種手持式和移動類應用中的封裝尺寸。這個技術能夠在將封裝尺寸至少減少60％的同時，替代標準的小信號MOSFET。

      特性

      • 低導通電阻
      • 超低Q g 和Q gd < /sub>
      • 超小型封裝尺寸（0402外殼尺寸）
        • 1.0mm×0.6mm
      • 低高度
        • 最大高度0.35mm
      • 集成型靜電放電（ESD）保護二極管
        • 額定值＆gt; 2kV人體模型（HBM）
        • 額定值＆gt; 2kV充電器件模型（CDM）
      • 無鉛端子鍍層
      • 無鹵素
      • 符合RoHS環保標準

      應用范圍

      • 針對負載開關應用進行了優化
      • 針對通用開關應用進行了優化
      • 電池類應用
      • 手持式和移動類應用

      參數 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD23382F4 CSD23280F3 CSD25480F3 CSD25501F3
      -12 ? ? -12 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
      -8 ? ? -6 ? ? -12 ? ? -20 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      76 ? ? 116 ? ? 159 ? ? 76 ? ?
      105 ? ? 165 ? ? 260 ? ? 125 ? ?
      199 ? ? 250 ? ? 840 ? ? 260 ? ?
      -22 ? ? -11.4 ? ? -10.4 ? ? -13.6 ? ?
      -3.5 ? ? -1.8 ? ? -1.7 ? ? -3.6 ? ?
      1.04 ? ? 0.95 ? ? 0.7 ? ? 1.02 ? ?
      0.15 ? ? 0.068 ? ? 0.1 ? ? 0.09 ? ?
      0.5 ? ? 0.3 ? ? 0.26 ? ? 0.45 ? ?
      -0.8 ? ? -0.65 ? ? -0.95 ? ? -0.75 ? ?
      LGA 0.6x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
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