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      CSD19532KTT CSD19532KTT

      數據：

      描述

      這款100V，4.6mΩ，D 2 PAK（TO-263）NexFET功率MOSFET被設計成在功率轉換應用中大大降低損耗。

      引腳分配

      要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。最大R θJC< /sub> = 0.6°C /W，脈沖持續時間≤100μs，
      占空比≤1％

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩級
      • 無鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素
      • D 2 PAK塑料封裝

      應用

      • 次級側同步整流器
      • 熱插拔
        • li>
      • 電機控制

      參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD19532KTT CSD19535KTT CSD19536KTT
      100 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      5.6 ? ? 3.4 ? ? 2.4 ? ?
      400 ? ? 400 ? ? 400 ? ?
      44 ? ? 75 ? ? 118 ? ?
      17 ? ? 11 ? ? 17 ? ?
      D2PAK ? ? D2PAK ? ? D2PAK ? ?
      20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
      2.6 ? ? 2.7 ? ? 2.5 ? ?
      136 ? ? 197 ? ? 272 ? ?
      200 ? ? 200 ? ? 200 ? ?
      No ? ? No ? ? No ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD19532KTT 相關庫存