CSD75207W15 雙路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15

數(shù)據(jù)： CSD75207W15 雙路 P 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A)

描述

CSD75207W15器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。低導(dǎo)通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運(yùn)行的空間受限應(yīng)用。此器件也已經(jīng)被授予美國(guó)專利7952145,7420247,7235845和6600182.

特性

雙路P通道MOSFET
共源配置
小型封裝尺寸1.5mm x 1.5 mm
柵極 - 源電壓鉗位
柵極靜電放電（ESD）保護(hù)大于4kV
- 人體模型（HBM）JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD22-A114
無(wú)著且無(wú)鹵素
符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用范圍

電池保護(hù)
負(fù)載和輸入開關(guān)

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
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