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      CSD25211W1015 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數據：

      描述

      此器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內產生盡可能低的導通電阻和柵極電荷。

      頂視圖R θJA = 119°C /W，這是在厚度為0.06英寸的環氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 2盎司銅過渡片上測得的典型值。脈寬≤10μs，占空比≤2％

      特性

      • 超低導通電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 小尺寸封裝1.0mm x 1.5mm
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 柵 - 源電壓鉗位
      • 柵極靜電放電（ESD）保護-3kV
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素

      應用范圍

      • 電池管理
      • 負載開關
      • 電池保護

      參數 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25211W1015
      -20 ? ?
      -6 ? ?
      Single ? ?
      33 ? ?
      44 ? ?
      -9.5 ? ?
      -3.2 ? ?
      3.4 ? ?
      0.2 ? ?
      1.1 ? ?
      -0.8 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD25211W1015 相關庫存

      • MOSFETs

        型號：CSD25211W1015 封裝：DSBGA6

        品牌：TI 描述：CSD25211W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

        金額：￥1.58662

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