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      3天內(nèi)不再提示

      CSD25213W10 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD25213W10

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此器件設(shè)計用于在超低高度并具有出色散熱特性的盡可能小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

      頂視圖在1 2 2盎司純銅（Cu）（2 oz。）且厚度為0.060“的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上， R θJA = 75°C /W.脈寬≤300μs，占空比≤2％受柵極電阻限制。

      特性

      • 超低柵極電荷（Qg）和柵漏電荷（Qgd）
      • 小尺寸封裝1mm x 1mm < /li>
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 柵 - 源電壓鉗位
      • 柵極靜電放電（ESD）保護
      • 符合RoHS環(huán)保標準
      • 無鹵素

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      VGS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
      Id Peak (Max) (A)
      Id Max Cont (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      QGS Typ (nC)
      VGSTH Typ (V)
      Package (mm)
      CSD25213W10 CSD25480F3 CSD25501F3
      -20 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
      -6 ? ? -12 ? ? -20 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      47 ? ? 159 ? ? 76 ? ?
      67 ? ? 260 ? ? 125 ? ?
      ? 840 ? ? 260 ? ?
      -16 ? ? -10.4 ? ? -13.6 ? ?
      -1.6 ? ? -1.7 ? ? -3.6 ? ?
      2.2 ? ? 0.7 ? ? 1.02 ? ?
      0.14 ? ? 0.1 ? ? 0.09 ? ?
      0.74 ? ? 0.26 ? ? 0.45 ? ?
      -0.85 ? ? -0.95 ? ? -0.75 ? ?
      WLP 1.0x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
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