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      CSD13302W CSD13302W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數據：

      描述

      這款14.6mΩ，12V N通道器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的1mm×1mm小外形封裝內提供最低的導通電阻和柵極電荷。

      特性

      • 超低導通電阻
      • 低Q g 和Q gd < /sub>
      • 1mm x 1mm小尺寸封裝
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素

      應用范圍

      • 電池管理
      • 負載開關
      • 電池保護

      所有商標均為其各自所有者的財產。

      參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD13302W
      12 ? ?
      Single ? ?
      17.1 ? ?
      29 ? ?
      6 ? ?
      2.1 ? ?
      WLP 1.0x1.0 ? ?
      21.2 ? ?
      10 ? ?
      1 ? ?
      Yes ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
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