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      CSD18542KTT CSD18542KTT

      數據：

      描述

      這款60V，3.3mΩ，D 2 PAK（TO-263）NexFET?功率MOSFET被設計成在功率轉換應用中大大降低損耗。

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
      • 邏輯電平
      • 無鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素
      • D 2 PAK塑料封裝

      所有商標均為其各自所有者的財產。

      參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD18542KTT CSD18535KTT CSD18536KTT CSD19505KTT CSD19506KTT CSD19535KTT CSD19536KTT
      60 ? ? 60 ? ? 60 ? ? 80 ? ? 80 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      5.1 ? ? 2.9 ? ? 2.2 ? ? ? ? ? ?
      4 ? ? 2 ? ? 1.6 ? ? 3.1 ? ? 2.3 ? ? 3.4 ? ? 2.4 ? ?
      400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ? 400 ? ?
      44 ? ? 63 ? ? 108 ? ? 76 ? ? 120 ? ? 75 ? ? 118 ? ?
      6.9 ? ? 10.4 ? ? 14 ? ? 11 ? ? 20 ? ? 11 ? ? 17 ? ?
      D2PAK ? ? D2PAK ? ? D2PAK ? ? D2PAK ? ? D2PAK ? ? D2PAK ? ? D2PAK ? ?
      20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ?
      1.8 ? ? 1.9 ? ? 1.8 ? ? 2.6 ? ? 2.5 ? ? 2.7 ? ? 2.5 ? ?
      170 ? ? 279 ? ? 349 ? ? 212 ? ? 291 ? ? 197 ? ? 272 ? ?
      200 ? ? 200 ? ? 200 ? ? 200 ? ? 200 ? ? 200 ? ? 200 ? ?
      Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ? No ? ? No ? ? No ? ? No ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
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