CSD19534Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19534Q5A

數(shù)據(jù)： CSD19534Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表

描述

這款100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低損耗。

頂視圖

要了解所有可用封裝，請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄.R _θJA = 40°C /W，這是在一個(gè)厚度0.06英寸環(huán)氧樹(shù)脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸²，2盎司的銅過(guò)渡墊片上測(cè)得的典型值。最大R _θJC = 2.0°C /W，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1％

特性

超低Q _g和Q _gd
低熱阻
雪崩額定值
無(wú)鉛端子鍍層
符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
無(wú)鹵素
小外形尺寸無(wú)引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝

應(yīng)用范圍

初級(jí)側(cè)電信應(yīng)用
電機(jī)控制

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
?

CSD19534Q5A	CSD19531Q5A	CSD19532Q5B	CSD19533Q5A	CSD19537Q3
100 ? ?	100 ? ?	100 ? ?	100 ? ?	100 ? ?
Single ? ?	Single ? ?	Single ? ?	Single ? ?	?
15.1 ? ?	6.4 ? ?	4.9 ? ?	9.5 ? ?	14.5 ? ?
137 ? ?	337 ? ?	400 ? ?	231 ? ?	219 ? ?
17 ? ?	37 ? ?	48 ? ?	27 ? ?	16 ? ?
3.2 ? ?	6.6 ? ?	8.7 ? ?	4.9 ? ?	2.9 ? ?
SON5x6 ? ?	SON5x6 ? ?	SON5x6 ? ?	SON5x6 ? ?	SON3x3 ? ?
20 ? ?	20 ? ?	20 ? ?	20 ? ?	20 ? ?
2.8 ? ?	2.7 ? ?	2.6 ? ?	2.8 ? ?	3 ? ?
44 ? ?	110 ? ?	140 ? ?	75 ? ?	53 ? ?
40 ? ?	100 ? ?	100 ? ?	100 ? ?	50 ? ?
No ? ?	No ? ?	No ? ?	No ? ?	No ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）

CSD19534Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表

元器件購(gòu)買(mǎi) CSD19534Q5A 相關(guān)庫(kù)存

MOSFETs

型號(hào)：CSD19534Q5A 封裝：VSONP8_4.9X5.75MM

品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15.1mΩ@10V VSONP8

金額：￥3.41040
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