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CSD18536KCS CSD18536KCS 60V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數據:

描述

這款60V,1.3mΩ,TO-220 NexFET?功率MOSFET的設計被用來降低功率轉換中的損耗,損耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩級
  • 無鉛引腳鍍層
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • 晶體管( TO)-220塑料封裝

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18536KCS
60 ? ?
Single ? ?
2.2 ? ?
1.6 ? ?
400 ? ?
83 ? ?
14 ? ?
TO-220 ? ?
20 ? ?
1.8 ? ?
349 ? ?
200 ? ?
Yes ? ?

方框圖 (1)

技術文檔

數據手冊(1)
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