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此12V,9.9mΩ,2.2mm×1.15mm LGA雙路NexFET?功率MOSFET旨在以小外形封裝最大程度地降低電阻和柵極電荷。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置,非常適合小型手持設備中由電池供電的應用。
所有商標均為其各自所有者的財產。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD83325L | CSD85302L | CSD87313DMS | CSD87501L |
|---|---|---|---|
| 12 ? ? | 20 ? ? | 30 ? ? | 30 ? ? |
| Dual ? ? | Dual Common Drain ? ? | Dual Common Drain ? ? | Dual Common Drain ? ? |
| 5.9 ? ? | 24 ? ? | 5.5 ? ? | 5.5 ? ? |
| ? | ? | ? | 3.9 ? ? |
| 52 ? ? | 37 ? ? | ? | 72 ? ? |
| 8.4 ? ? | 6 ? ? | 28 ? ? | 15 ? ? |
| 1.9 ? ? | 1.4 ? ? | 6 ? ? | 6 ? ? |
| LGA ? ? | LGA 1.35x1.35 ? ? | SON3x3 ? ? | LGA ? ? |
| 8.4 ? ? | 29 ? ? | 6.6 ? ? | ? |
| 10 ? ? | 10 ? ? | 10 ? ? | 20 ? ? |
| 0.95 ? ? | 0.9 ? ? | 0.9 ? ? | 1.8 ? ? |
| Yes ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? | Yes ? ? |