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      CSD87333Q3D 高占空比同步降壓 NexFET? 3x3 電源塊

      數據：

      描述

      CSD87333Q3D NexFET?電源塊是面向同步降壓和升壓應用的優化設計方案，能夠以3.3mm×3.3mm的小巧外形提供高電流，高效率以及高頻率性能。該產品針對5V柵極驅動應用進行了優化，在與外部控制器或驅動器配合使用時，可在高占空比應用中提供靈活的解決方案

      特性

      • 半橋電源塊
      • 針對高占空比進行了優化
      • 高達24 V in
      • 電流8A時，系統效率達到94.7％
      • 電流8A時，P 損耗 1.5W
      • 工作電流高達15A
      • 高頻工作（高達1.5MHz）
      • 高密度小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm封裝
        • < li>針對5V柵極驅動進行了優化
      • 開關損耗較低
      • 超低電感封裝
      • 符合RoHS環保標準
      • 無鹵素
      • 無鉛引腳鍍層

      所有商標均為其各自所有者的財產。

      參數 與其它產品相比?功率 MOSFET 模塊

      ?
      VGS (V)
      VDS (V)
      Power Loss (W)
      Ploss Current (A)
      ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC (A)
      Configuration
      Package (mm)
      Operating Temperature Range (C)
      Pin/Package
      CSD87333Q3D CSD86330Q3D CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87334Q3D CSD87335Q3D
      10 ? ? 10 ? ? 10 ? ? 10 ? ? 10 ? ? 10 ? ?
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      1.5 ? ? 1.9 ? ? 2 ? ? 1.3 ? ? 1.6 ? ? 1.5 ? ?
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      PowerBlock ? ? PowerBlock ? ? PowerBlock ? ? PowerBlock ? ? PowerBlock ? ? PowerBlock ? ?
      SON3x3 PowerBlock ? ? SON3x3 PowerBlock ? ? SON3x3 PowerBlock ? ? SON3x3 PowerBlock ? ? SON3x3 PowerBlock ? ? SON3x3 PowerBlock ? ?
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      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD87333Q3D 相關庫存