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      3天內不再提示

      CSD13303W1015 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此器件設計用于在超低高度并具有出色散熱特性的盡可能小外形尺寸封裝內產生最低的接通電阻和柵極電荷。

      頂視圖在1 2 2盎司純銅（Cu）（2 oz。）且厚度為0.060“的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上， R θJA = 75.7°C /W（典型值）。脈寬≤1ms，占空比≤2％。

      特性

      • 超低接通電阻
      • 超低柵極電荷（Qg）和柵漏電荷（Qgd）
      • 小封裝尺寸
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 符合RoHS標準
      • 無鹵素
      • 芯片級封裝（CSP）1 x 1.5mm晶圓級封裝

      參數(shù) 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD13303W1015
      12 ? ?
      Single ? ?
      20 ? ?
      31 ? ?
      3.9 ? ?
      0.4 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?
      18 ? ?
      8 ? ?
      0.85 ? ?
      Yes ? ?

      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 CSD13303W1015 相關庫存