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數據: CSD19533Q5A 100V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 數據表 (Rev. A)
這款100V,7.8mΩ,SON 5mm×6mm NexFET功率MOSFET被設計成功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
頂視圖要了解所有可用封裝,請見數據表末尾的可訂購產品附錄.R θJA = 40°C /W,這是在一個厚度0.06英寸環氧樹脂(FR4)印刷電路板(PCB)上的1英寸 2 ,2盎司的銅過渡墊片上測得的典型值
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD19533Q5A | CSD19531KCS | CSD19531Q5A | CSD19532Q5B | CSD19533KCS | CSD19534Q5A | CSD19535KCS | CSD19536KCS | CSD19537Q3 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? |
| Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | Single ? ? | ? |
| 9.5 ? ? | 7.7 ? ? | 6.4 ? ? | 4.9 ? ? | 10.5 ? ? | 15.1 ? ? | 3.6 ? ? | 2.7 ? ? | 14.5 ? ? |
| 231 ? ? | 285 ? ? | 337 ? ? | 400 ? ? | 207 ? ? | 137 ? ? | 400 ? ? | 400 ? ? | 219 ? ? |
| 27 ? ? | 38 ? ? | 37 ? ? | 48 ? ? | 27 ? ? | 17 ? ? | 78 ? ? | 118 ? ? | 16 ? ? |
| 4.9 ? ? | 7.5 ? ? | 6.6 ? ? | 8.7 ? ? | 5.4 ? ? | 3.2 ? ? | 13 ? ? | 17 ? ? | 2.9 ? ? |
| SON5x6 ? ? | TO-220 ? ? | SON5x6 ? ? | SON5x6 ? ? | TO-220 ? ? | SON5x6 ? ? | TO-220 ? ? | TO-220 ? ? | SON3x3 ? ? |
| 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? |
| 2.8 ? ? | 2.7 ? ? | 2.7 ? ? | 2.6 ? ? | 2.8 ? ? | 2.8 ? ? | 2.7 ? ? | 2.5 ? ? | 3 ? ? |
| 75 ? ? | 110 ? ? | 110 ? ? | 140 ? ? | 86 ? ? | 44 ? ? | 187 ? ? | 259 ? ? | 53 ? ? |
| 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? | 40 ? ? | 150 ? ? | 150 ? ? | 50 ? ? |
| No ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? | No ? ? |
金額:¥3.21440
去購買型號:CSD19533Q5AT 封裝:VSONP8_4.9X5.75MM
品牌:TI 描述:MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=-±20V ID=100A RDS(ON)=9.4mΩ@10V VSONP8
金額:¥19.93320
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