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      3天內不再提示

      CSD13201W10 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      此器件設計用于在超低高度并具有出色散熱特性的盡可能小外形尺寸封裝內產(chǎn)生最低的導通電阻和柵極電荷。

      在 2 2盎司純銅（Cu）（2盎司）且厚度為0.060“的環(huán)氧板（FR4）印刷電路板（PCB）上，R < sub>θJA = 105°C /W（典型值）。脈寬≤300μs，占空比≤2％

      特性

      • 超低柵極電荷（Qg）和柵漏電荷（Qgd）
      • 小型封裝尺寸1mm x 1mm < /li>
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 符合RoHS標準
      • 無鹵素
      • 柵 - 源電壓鉗位

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD13201W10
      12 ? ?
      Single ? ?
      34 ? ?
      20.2 ? ?
      2.3 ? ?
      0.3 ? ?
      WLP 1.0x1.0 ? ?
      29 ? ?
      8 ? ?
      0.8 ? ?
      Yes ? ?

      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 CSD13201W10 相關庫存