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數據: CSD18502KCS 40V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 數據表 (Rev. B)
這款2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET功率MOSFET被設計成功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
要了解所有可用封裝,請見數據表末尾的可訂購產品附錄。最大R θJC =0.6oC/W,脈沖持續時間≤100μs,占空比
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD18502KCS |
|---|
| 40 ? ? |
| Single ? ? |
| 4.3 ? ? |
| 2.9 ? ? |
| 400 ? ? |
| 52 ? ? |
| 8.4 ? ? |
| TO-220 ? ? |
| 20 ? ? |
| 1.8 ? ? |
| 212 ? ? |
| 100 ? ? |
| Yes ? ? |