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CSD86311W1723 雙路 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

該器件的設(shè)計旨在以最小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并具有超薄的熱特性。低導通電阻和柵極電荷以及小尺寸和低外形使該器件非常適用于負載管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中電池供電的空間受限應(yīng)用

特性

  • 雙N-Ch MOSFET
  • 共源配置
  • 小尺寸1.7 mm×2.3 mm
  • 超低Q g 和Q gd
  • 無鉛
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • 應(yīng)用
    • 電池管理
    • 電池保護
    • DC-DC轉(zhuǎn)換器
    < /li>

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
Logic Level
CSD86311W1723
25 ? ?
Dual Common Source ? ?
42 ? ?
4.5 ? ?
3.1 ? ?
0.33 ? ?
WLP1.7x2.3 ? ?
10 ? ?
1 ? ?
4.5 ? ?
Yes ? ?

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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