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數(shù)據(jù): Dual P-Channel NexFET Power MOSFET 數(shù)據(jù)表
該器件的設(shè)計旨在以最小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并具有超薄的熱特性。低導通電阻和柵極電荷以及小尺寸和低外形使該器件非常適用于負載管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中電池供電的空間受限應(yīng)用
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD86311W1723 |
|---|
| 25 ? ? |
| Dual Common Source ? ? |
| 42 ? ? |
| 4.5 ? ? |
| 3.1 ? ? |
| 0.33 ? ? |
| WLP1.7x2.3 ? ? |
| 10 ? ? |
| 1 ? ? |
| 4.5 ? ? |
| Yes ? ? |