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CSD16409Q3 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

數據:

描述

NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定
  • 無鉛端子電鍍
  • 符合RoHS標準
  • 無鹵素
  • SON 3.3mm x 3.3mm塑料封裝
  • 應用
    • 適用于網絡,電信和計算系統應用的負載點同步降壓轉換器
    • 針對控制FET進行了優化應用

NexFET是德州儀器的商標。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD16409Q3
25 ? ?
Single ? ?
12.4 ? ?
8.2 ? ?
90 ? ?
4 ? ?
1 ? ?
SON3x3 ? ?
16 ? ?
2 ? ?
60 ? ?
Yes ? ?

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