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      CSD16322Q5 N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      NexFET?功率MOSFET旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

      特性

      • 針對(duì)5V柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化
      • 超低Q g 和Q gd < /sub>
      • 低熱阻
      • 雪崩額定
      • 無(wú)鉛端子電鍍
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 鹵素免費(fèi)
      • SON 5毫米×6毫米塑料封裝
      • 應(yīng)用
        • 網(wǎng)絡(luò)，電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓< /li>
        • 同步或控制FET應(yīng)用

      NexFET是德州儀器的商標(biāo)。

      < /DIV>

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD16322Q5 CSD16321Q5 CSD16325Q5
      25 ? ? 25 ? ? 25 ? ?
      Single ? ? Single ? ? Single ? ?
      5.8 ? ? 2.6 ? ? 2.2 ? ?
      136 ? ? 200 ? ? 200 ? ?
      6.8 ? ? 14 ? ? 18 ? ?
      1.3 ? ? 2.5 ? ? 3.5 ? ?
      SON5x6 ? ? SON5x6 ? ? SON5x6 ? ?
      10 ? ? 10 ? ? 10 ? ?
      1.1 ? ? 1.1 ? ? 1.1 ? ?
      97 ? ? ? ?
      100 ? ? 100 ? ? 100 ? ?
      Yes ? ? Yes ? ? Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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