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數據： Series 24 And 28 Standard And Low Power Programmable Read-Only Memories 數據表
24和28系列單片TTL可編程只讀存儲器（PROM）具有擴展的標準和低功耗PROM選擇。這種擴展的PROM系列為系統設計人員提供了升級現有設計或優化新設計的極大靈活性。所有系列產品均采用經過驗證的鈦鎢（Ti-W）熔絲鏈和低電流MOS兼容p-n-p輸入，采用通用編程技術，可對每個鏈路進行20微秒脈沖編程。
4096位和8192位PROM提供各種封裝，范圍從18引腳300 mil寬到24引腳600 mil寬。 16,384位PROM提供兩倍于8192位PROM的位密度，采用24引腳600 mil寬封裝。
所有PROM都提供存儲在每個位位置的邏輯高電平輸出電平。編程過程將在Ti-W金屬鏈路中產生開路，從而反轉所選位置的存儲邏輯電平。該程序是不可逆轉的;一旦改變，該位的輸出就被永久編程。從未改變過的輸出可能會被編程為提供相反的輸出電平。在推薦的操作條件下操作本機不會改變存儲器內容。
芯片選擇輸入（S或S \）的有效電平使能所有輸出。任何芯片選擇輸入的無效電平都會導致所有輸出處于三態或關閉狀態。
| ? |
|---|
| Voltage Node (Nom) (V) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| ? |
| JBP28L42 |
|---|
| 5 ? ? |
| Military ? ? |
| -55 to 125 ? ? |
| 無樣片 |
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